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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N4120CUR-1	28.8000	RFQ	6839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4120		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200欧姆
1N5922APE3/TR12	0.9150	RFQ	5532	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5922		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 v	3欧姆
JANS1N6354CUS	-	RFQ	3185	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆
1N2840A	94.8900	RFQ	1301	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2840		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83.6 V				110 v	30欧姆
1N2810B	94.8900	RFQ	2902	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2810		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	1欧姆
1N4758AE3/TR13	0.8700	RFQ	1340	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4758		1 w	DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
JANTXV1N3041CUR-1	46.1250	RFQ	4269	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3041		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 56 V				75 v	175欧姆
APT2X30D20J	20.8000	RFQ	5925	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X30	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	200 v	30a	1.3 V @ 30 A	24 ns	250 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
1 PMT4132C/TR7	1.2450	RFQ	2197	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4132		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.32 V				82 v	250欧姆
1月1N984DUR-1	14.2500	RFQ	3787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N984		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 69 V				91 v	400欧姆
1N4728AUR	3.4650	RFQ	7228	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4728		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
SMAJ4758CE3/TR13	0.6450	RFQ	9642	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4758		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
CDLL5239B	2.8650	RFQ	7875	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5239		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
JANTX1N752CUR-1/TR	9.8021	RFQ	2392	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N752CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	11欧姆
1N5254A	4.2300	RFQ	5416	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5254		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
JANS1N6642US	16.7600	RFQ	3398	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	D，平方米		标准		D-5D	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6642US	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v		1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
Jan1n6768r	-	RFQ	3408	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 40 V	-	8a	150pf @ 5V，1MHz
1N3624	44.1600	RFQ	2192	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	-			到达不受影响	150-1N3624	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1 V @ 1 A	3 µs	100 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	16a	-
CDLL5270B	3.5850	RFQ	4453	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5270		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 69 V				91 v	400欧姆
JANTX1N6335CUS/TR	39.9450	RFQ	1295	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6335CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 na @ 23 V				30 V	32欧姆
LSM535J/TR13	1.1550	RFQ	7134	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM535	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		35 v		520 mv @ 5 a		2 ma @ 35 V	-55°C〜150°C	5a	-
1N2972B	36.9900	RFQ	6125	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2972		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1月1N976CUR-1/TR	10.2410	RFQ	8301	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N976CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
JANS1N4133CUR-1/TR	91.5802	RFQ	9037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4133CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1欧姆
JANS1N4108-1/TR	31.6700	RFQ	5952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4108-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
JANTXV1N3306B	-	RFQ	5890	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		125 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
SMBG5349B/TR13	2.2500	RFQ	3931	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5349		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V				12 v	2.5欧姆
1N3047B-1/TR	7.4214	RFQ	3312	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13	1N3047		1 w	DO-13（do-202AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3047B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 98.8 V				130 v	700欧姆
CDLL4712	3.3000	RFQ	5961	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4712		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 21.2 V				28 V
JANTX1N3004B	-	RFQ	3666	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 69.2 V				91 v	35欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²