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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N5712UBCC	118.6800	RFQ	8067	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N5712	肖特基		UB	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
CD4776	18.4950	RFQ	2183	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死				死	-			到达不受影响	150-CD4776	Ear99	8541.10.0050	1											8.5 v	350欧姆
CDS5526BUR-1	-	RFQ	4691	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5526BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTX1N4583A-1/TR	10.1400	RFQ	5299	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4583A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	25欧姆
Janhca1n4131c	-	RFQ	7587	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4131c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
JAN1N6942UTK3AS	-	RFQ	6432	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		460 mv @ 50 a		5 ma @ 45 V	-65°C〜175°C	150a	7000pf @ 5V，1MHz
JANS1N941B-1	-	RFQ	8689	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N941		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
JANTXV1N981D-1/TR	8.5519	RFQ	5983	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N981D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
JANTX1N44463DUS/TR	75.4950	RFQ	6199	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444463DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
JAN1N3051CUR-1	-	RFQ	8125	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N3823C-1	17.3250	RFQ	6786	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3823		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JANTX1N945B-1	-	RFQ	1217	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N4121ur	3.7950	RFQ	5484	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4121		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V				33 V	200欧姆
1N4103-1/tr	2.3408	RFQ	4563	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4103-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
R30420	40.6350	RFQ	4531	微芯片技术	R304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R304	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	40a	-
UZ120SMT2	33.3150	RFQ	2589	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			3 W	a，平方米	-			到达不受影响	150-UZ120SMT2	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 152 V				200 v	950欧姆
1N5936BUR-1	4.5300	RFQ	7803	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5936		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
JANTXV1N6663	-	RFQ	7572	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	500mA	-
CD965A	1.6950	RFQ	1179	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD965A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
1N5819-1/tr	8.1900	RFQ	5353	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基		DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5819-1/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		340 mv @ 1 a		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
Jan1n4134-1	4.1100	RFQ	3018	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4134			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
1月1N4988US	13.2600	RFQ	4390	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4988		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
CDS3824A-1	-	RFQ	6394	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3824A-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDLL6335	14.6400	RFQ	4606	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL6335		500兆	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 23 V				30 V	32欧姆
1N5344C/TR12	-	RFQ	2224	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
JANS1N4109UR-1	49.4550	RFQ	2693	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4109		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
CDLL4575	7.3800	RFQ	6075	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4575		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					50欧姆
1N3015B	36.9900	RFQ	9997	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3015		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 152 V				200 v	300欧姆
Janhca1n974d	-	RFQ	9934	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n974d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V				36 V	70欧姆
Jan1n4963d	18.6750	RFQ	6789	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4963		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²