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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3294AR	103.2300	RFQ	6680	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	1N3294ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 200 A		13 ma @ 800 V	-65°C 〜200°C	100a	-
APT60S20B2CTG	7.9700	RFQ	2656	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3变体	APT60	肖特基		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	75a	900 mv @ 60 a	55 ns	1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
JANS1N4134DUR-1	147.2700	RFQ	7721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
CDS3824A-1	-	RFQ	6394	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3824A-1	Ear99	8541.10.0050	50
SMBG5372CE3/TR13	1.4400	RFQ	3253	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5372		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
1N6658	242.5050	RFQ	4915	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/616	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6658	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	15a	1 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-
CD965A	1.6950	RFQ	1179	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD965A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
1N5819-1/tr	8.1900	RFQ	5353	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基		DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5819-1/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		340 mv @ 1 a		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1N4103-1/tr	2.3408	RFQ	4563	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4103-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
1N4616ur	3.3000	RFQ	8304	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4616		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
JANTXV1N3043D-1/TR	32.2392	RFQ	9409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3043D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
JAN1N6942UTK3AS	-	RFQ	6432	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		460 mv @ 50 a		5 ma @ 45 V	-65°C〜175°C	150a	7000pf @ 5V，1MHz
1N5344C/TR12	-	RFQ	2224	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
JANS1N4566AR-1	163.6800	RFQ	2396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
CDLL5274D	8.4150	RFQ	6359	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5274D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
S2580	33.4500	RFQ	2358	微芯片技术	S25	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S258	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	25a	-
JAN1N3051CUR-1	-	RFQ	8125	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1 PMT5951E3/TR13	0.7350	RFQ	1061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
Jan1n6310d	30.4500	RFQ	9142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6310		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N5804	5.7200	RFQ	280	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5804	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
Jan1n3032b-1/tr	8.3524	RFQ	2995	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3032B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
JANS1N4620D-1/TR	145.5010	RFQ	4277	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4620D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1.65欧姆
JANTXV1N981D-1/TR	8.5519	RFQ	5983	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N981D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
1月1N4988US	13.2600	RFQ	4390	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4988		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
R30420	40.6350	RFQ	4531	微芯片技术	R304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R304	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JANTXV1N5712UBCC	118.6800	RFQ	8067	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N5712	肖特基		UB	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
JANTXV1N4991D	63.9000	RFQ	1314	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V				240 v	650欧姆
1N4704/tr	3.6575	RFQ	9521	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4704/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 12.9 V				17 V
CD4104	1.3699	RFQ	6876	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4104	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
JANTX1N3308B	-	RFQ	5420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V				9.1 v	0.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²