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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4752AP/TR12	1.8900	RFQ	1643年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4752		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
Jan1n5417us	9.3600	RFQ	4806	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5417	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N4127UR-1	48.9900	RFQ	8912	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
Janhca1n974d	-	RFQ	9934	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n974d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V				36 V	70欧姆
JANTX1N4958DUS/TR	32.4000	RFQ	8144	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4958DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
Janhca1n4131c	-	RFQ	7587	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4131c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
1N5241	3.9150	RFQ	7618	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5241	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 8 V				11 V	22欧姆
CDLL4575	7.3800	RFQ	6075	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4575		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					50欧姆
1N942A/tr	10.9500	RFQ	2727	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N942A/TR	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N4485US	11.3550	RFQ	6443	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4485		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4485USM	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 54.4 V				68 v	100欧姆
CD4575A	5.4150	RFQ	7752	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4575A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N3294AR	103.2300	RFQ	6680	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	1N3294ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 200 A		13 ma @ 800 V	-65°C 〜200°C	100a	-
APT60S20B2CTG	7.9700	RFQ	2656	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3变体	APT60	肖特基		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	75a	900 mv @ 60 a	55 ns	1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
JANS1N4134DUR-1	147.2700	RFQ	7721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
CDS3824A-1	-	RFQ	6394	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3824A-1	Ear99	8541.10.0050	50
SMBG5372CE3/TR13	1.4400	RFQ	3253	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5372		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
1N6658	242.5050	RFQ	4915	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/616	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6658	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	15a	1 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-
CD965A	1.6950	RFQ	1179	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD965A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
1N5819-1/tr	8.1900	RFQ	5353	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基		DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5819-1/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		340 mv @ 1 a		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1N4103-1/tr	2.3408	RFQ	4563	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4103-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
1N4616ur	3.3000	RFQ	8304	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4616		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
JANTXV1N3043D-1/TR	32.2392	RFQ	9409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3043D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
JAN1N6942UTK3AS	-	RFQ	6432	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		460 mv @ 50 a		5 ma @ 45 V	-65°C〜175°C	150a	7000pf @ 5V，1MHz
1N5344C/TR12	-	RFQ	2224	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
JANS1N4566AR-1	163.6800	RFQ	2396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
CDLL5274D	8.4150	RFQ	6359	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5274D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
S2580	33.4500	RFQ	2358	微芯片技术	S25	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S258	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	25a	-
JAN1N3051CUR-1	-	RFQ	8125	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1 PMT5951E3/TR13	0.7350	RFQ	1061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
Jan1n6310d	30.4500	RFQ	9142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6310		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²