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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N4621DUR-1/TR	25.8153	RFQ	7669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4621DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
JANTXV1N5537CUR-1	49.5150	RFQ	9882	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5537		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
1N6903UTK3	259.3500	RFQ	2503	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6903UTK3			1
1N3040B-1/TR	7.4214	RFQ	8092	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3040		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3040B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
1N5349C/TR8	3.3900	RFQ	2787	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5349		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V				12 v	2.5欧姆
Janhce1n5809	18.4950	RFQ	6025	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		标准		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhce1N5809	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
JAN1N747CUR-1/TR	10.2410	RFQ	5054	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N747CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
Jan1n6635us	-	RFQ	4813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JAN1N6635US	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 1 V				4.3 v	2欧姆
Jan1n55330dur -1	46.2900	RFQ	9437	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5530		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
JANTXV1N3032C-1	38.0400	RFQ	4442	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3032		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
JANTXV1N3021C-1/TR	27.1719	RFQ	2482	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3021C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
JANS1N5619US/TR	78.0150	RFQ	6097	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5619US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns		-65°C〜175°C	1a	-
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SMBJ4755/TR13	0.8700	RFQ	4721	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4755		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
UES1103E3/tr	15.9000	RFQ	1763年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-ues1103e3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 150 V	175°C	2.5a	-
JAN1N748CUR-1	11.3850	RFQ	5797	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N748		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
Jan1n6332d	24.7800	RFQ	3081	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6332D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
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CDLL6352	14.6400	RFQ	3736	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDLL6352	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N3308B	-	RFQ	4413	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V				9.1 v	0.5欧姆
Jan1n4134-1	4.1100	RFQ	3018	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4134			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
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JANS1N4109UR-1	49.4550	RFQ	2693	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4109		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
JAN1N3823C-1	17.3250	RFQ	6786	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3823		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JANTX1N6074/TR	15.7350	RFQ	4791	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/503	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a-pak	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6074/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	2.04 V @ 9.4 A	30 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜155°C	850mA	-
1N5921PE3/TR12	0.9150	RFQ	3020	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5921		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	2.5欧姆
JANTX1N6329DUS	57.9000	RFQ	7804	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTX1N6329DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 12 V				16 V	12欧姆
1N4738AP/TR12	1.8900	RFQ	6533	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4738		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²