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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JAN1N3822CUR-1	35.5050	RFQ	8102	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3822		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
JANTXV1N4131C-1/TR	20.6815	RFQ	2845	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4131C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
JANTXV1N5969US/TR	-	RFQ	8836	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E	1N5969		5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N5969US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V				6.2 v	1欧姆
1N4738AR	3.4650	RFQ	3728	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4738		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
JANS1N4105DUR-1	147.2700	RFQ	1833年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
CDLL5227D	8.4150	RFQ	7791	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5227D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1月1N3893AR	333.0150	RFQ	5386	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.5 V @ 38 A	150 ns		-65°C〜175°C	20a	115pf @ 10V，1MHz
1N4577	8.4300	RFQ	4833	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载			到达不受影响	150-1N4577	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
SMBJ5371AE3/TR13	0.8100	RFQ	2140	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5371		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 43 V				60 V	40欧姆
SBT3050A	62.1000	RFQ	1311	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	SBT3050	肖特基		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-SBT3050A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	50 V	30a	700 mv @ 30 a		1.5 ma @ 50 V	-65°C〜175°C
1N4562B	75.0600	RFQ	9931	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N4562		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		20 µA @ 2 V				6.2 v	0.14欧姆
1 PMT5943C/TR7	2.7600	RFQ	4845	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
JANS1N4614UR-1	69.6150	RFQ	6933	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
UZ5226	32.2650	RFQ	8655	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5226	Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 187 V				260 v	750欧姆
JANTXV1N6315	14.0700	RFQ	6498	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	20欧姆
JANTX1N4102C-1/TR	12.1695	RFQ	9410	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4102C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
CDLL957A	2.8500	RFQ	8366	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL957		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	4.5欧姆
JANTXV1N4118CUR-1	28.8000	RFQ	6259	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4118		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
Jan1n5196us/tr	27.2400	RFQ	7324	微芯片技术	MIL-PRF-19500/118	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-				150-JAN1N5196US/TR			100	小信号= <200ma（io（io），任何速度		225 v		1 V @ 100 ma		1 µA @ 250 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTXV1N3340RB	-	RFQ	9747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
SMBJ4758A/TR13	0.8850	RFQ	6209	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4758		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
CD4738	2.0700	RFQ	1205	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD4738	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
R3160	49.0050	RFQ	9227	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3160			1
1N5370BE3/TR8	2.6850	RFQ	8265	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
1月1N6630	13.2600	RFQ	5811	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			通过洞	E，轴向	1N6630	标准			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		900 v		1.4 V @ 1.4 A	50 ns	2 µA @ 900 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
1 PMT4116CE3/TR13	0.4950	RFQ	5482	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V				24 V	150欧姆
JANTXV1N6335	14.6700	RFQ	4751	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6335		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 23 V				30 V	32欧姆
JANTX1N6622	19.8150	RFQ	7681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6622	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 660 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
1 PMT5947BE3/TR7	-	RFQ	1706年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 v	160欧姆
Jan1n3155ur-1	-	RFQ	7713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²