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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JANTX1N4968DUS Microchip Technology JANTX1N4968DUS -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 20.6 V 27 V 6欧姆
JAN1N4969CUS Microchip Technology Jan1n4969cus 23.5500
RFQ
 ECAD 3292 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4969 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 22.8 V 30 V 8欧姆
JAN1N4969DUS Microchip Technology JAN1N4969DUS 29.4600
RFQ
 ECAD 9748 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4969 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 22.8 V 30 V 8欧姆
JAN1N4970C Microchip Technology Jan1n4970c 14.9250
RFQ
 ECAD 5214 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4970 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 33 V 10欧姆
JANTXV1N4970DUS Microchip Technology JANTXV1N4970DUS 51.1200
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4970 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 33 V 10欧姆
JAN1N4971CUS Microchip Technology Jan1n4971cus 21.1650
RFQ
 ECAD 8174 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4971 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
JAN1N4971D Microchip Technology Jan1n4971d 18.6750
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4971 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
JAN1N4972DUS Microchip Technology Jan1n4972dus 26.4600
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4972 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 29.7 V 39 v 14欧姆
JAN1N4973C Microchip Technology 1月1N4973C 14.9250
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4973 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 32.7 V 43 V 20欧姆
JAN1N4973D Microchip Technology Jan1n4973d 18.6750
RFQ
 ECAD 3543 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4973 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 32.7 V 43 V 20欧姆
JANTXV1N4973DUS Microchip Technology JANTXV1N4973DUS 51.1200
RFQ
 ECAD 1382 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4973 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 32.7 V 43 V 20欧姆
JAN1N4974CUS Microchip Technology 1月1N4974CUS 23.5500
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4974 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 35.8 V 47 V 25欧姆
JAN1N4974D Microchip Technology Jan1n4974d 18.6750
RFQ
 ECAD 6609 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4974 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 35.8 V 47 V 25欧姆
JAN1N4975DUS Microchip Technology Jan1n4975dus 29.4600
RFQ
 ECAD 6903 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4975 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 38.8 V 51 v 27欧姆
JAN1N4976C Microchip Technology 1月1N4976C 14.1000
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4976 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 42.6 V 56 v 35欧姆
JAN1N4976CUS Microchip Technology Jan1n4976cus 23.5500
RFQ
 ECAD 3054 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4976 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 42.6 V 56 v 35欧姆
JAN1N4976D Microchip Technology Jan1n4976d 17.6250
RFQ
 ECAD 9612 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4976 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 42.6 V 56 v 35欧姆
JAN1N4979CUS Microchip Technology Jan1n4979cus 23.5500
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4979 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 56 V 75 v 55欧姆
JAN1N4980CUS Microchip Technology JAN1N4980CUS 23.5500
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4980 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JAN1N4980D Microchip Technology Jan1n4980d 23.2350
RFQ
 ECAD 3132 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4980 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JAN1N4983C Microchip Technology 1月1N4983C 31.5150
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4983 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 83.6 V 110 v 125欧姆
JAN1N4983CUS Microchip Technology Jan1n4983cus 28.7550
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4983 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 83.6 V 110 v 125欧姆
JANTX1N4984DUS Microchip Technology JANTX1N4984DUS 40.8000
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4984 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 91.2 V 120 v 170欧姆
JAN1N4986CUS Microchip Technology Jan1n4986cus 33.9450
RFQ
 ECAD 9104 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4986 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 114 V 150 v 330欧姆
JANTX1N4986DUS Microchip Technology JANTX1N4986DUS 43.9350
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4986 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 114 V 150 v 330欧姆
JAN1N4989C Microchip Technology 1月1N4989C 29.5500
RFQ
 ECAD 1573年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4989 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 152 V 200 v 500欧姆
JAN1N4990 Microchip Technology 1月1N4990 12.5550
RFQ
 ECAD 2886 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4990 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 167 V 220 v 550欧姆
JANTXV1N4990 Microchip Technology JANTXV1N4990 33.8100
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4990 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 167 V 220 v 550欧姆
JAN1N6346 Microchip Technology 1月1N6346 9.9000
RFQ
 ECAD 1501 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N6346 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 62 V 82 v 220欧姆
JANTX1N6347 Microchip Technology JANTX1N6347 12.4350
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N6347 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 69 V 91 v 270欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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