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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N5520D-1	29.2200	RFQ	2852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
1N4495US	15.8550	RFQ	7640	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4495		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4495USM	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
Jan1n3032b-1/tr	8.3524	RFQ	2995	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3032B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
JANS1N4127UR-1	48.9900	RFQ	8912	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
JANS1N4134DUR-1	147.2700	RFQ	7721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
JANS1N4620D-1/TR	145.5010	RFQ	4277	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4620D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1.65欧姆
JANTX1N6336US/TR	18.8594	RFQ	5357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6336US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
JANTX1N4619DUR-1/TR	34.3539	RFQ	1118	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4619DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
APT60S20B2CTG	7.9700	RFQ	2656	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3变体	APT60	肖特基		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	75a	900 mv @ 60 a	55 ns	1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
1N4738AP/TR12	1.8900	RFQ	6533	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4738		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
SMBJ5930B/TR13	1.5600	RFQ	6766	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5930		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1N4616ur	3.3000	RFQ	8304	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4616		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
JANTX1N4580AR-1	5.9550	RFQ	3607	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4580		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	25欧姆
Jan1n6310d	30.4500	RFQ	9142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6310		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
JANTXV1N5712UBCC	118.6800	RFQ	8067	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N5712	肖特基		UB	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
CD4776	18.4950	RFQ	2183	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死				死	-			到达不受影响	150-CD4776	Ear99	8541.10.0050	1											8.5 v	350欧姆
CDS5526BUR-1	-	RFQ	4691	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5526BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTX1N4583A-1/TR	10.1400	RFQ	5299	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4583A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	25欧姆
Janhca1n4131c	-	RFQ	7587	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4131c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
JAN1N6942UTK3AS	-	RFQ	6432	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		460 mv @ 50 a		5 ma @ 45 V	-65°C〜175°C	150a	7000pf @ 5V，1MHz
JANS1N941B-1	-	RFQ	8689	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N941		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
JANTXV1N981D-1/TR	8.5519	RFQ	5983	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N981D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
JANTX1N44463DUS/TR	75.4950	RFQ	6199	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444463DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
JAN1N3051CUR-1	-	RFQ	8125	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N3823C-1	17.3250	RFQ	6786	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3823		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JANTX1N945B-1	-	RFQ	1217	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N4121ur	3.7950	RFQ	5484	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4121		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V				33 V	200欧姆
1N4103-1/tr	2.3408	RFQ	4563	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4103-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
R30420	40.6350	RFQ	4531	微芯片技术	R304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R304	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	40a	-
UZ120SMT2	33.3150	RFQ	2589	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			3 W	a，平方米	-			到达不受影响	150-UZ120SMT2	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 152 V				200 v	950欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²