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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1 PMT4100CE3/TR7	0.4950	RFQ	1848年	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
UES2603	77.6250	RFQ	1690年	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	UES2603	标准		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响	2266-US2603	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	930 MV @ 15 A	35 ns	20 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	30a	-
CD4135	1.3699	RFQ	5754	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4135	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1500欧姆
1N3270	151.2750	RFQ	8582	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3270	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3270MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	700 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 700 V	-65°C 〜190°C	275a	-
Jan1n4466us	10.4550	RFQ	4624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JANTXV1N5526B-1	9.1200	RFQ	5723	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5526		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANTXV1N4112C-1	23.1600	RFQ	5712	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4112		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
JANTXV1N6638US	10.2750	RFQ	1250	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	125 v	1.1 V @ 200 ma	4.5 ns		-65°C〜175°C	300mA	-
Jan1n4616ur-1/tr	5.9451	RFQ	5619	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4616UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
1N749A/tr	2.0748	RFQ	1183	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N749A/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
1N6015A	1.9950	RFQ	4900	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6015		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 27 V				43 V	180欧姆
JANTXV1N444454UR-1	4.1400	RFQ	5417	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/144	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N4454	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C 〜175°C	200mA	-
UPS120EE3/TR7	0.5000	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS120	肖特基		PowerMite 1（DO216-AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	530 MV @ 1 A		10 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
JANTX1N968C-1/TR	5.7722	RFQ	3126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N968C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 15 V				20 v	25欧姆
R30760	49.4700	RFQ	2756	微芯片技术	R307	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R30760	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	85a	-
CDLL5947C	7.8450	RFQ	2830	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5947		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 v	160欧姆
JANTX1N983DUR-1/TR	17.3964	RFQ	2133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N983		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N983DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
JANTXV1N5419/TR	11.3850	RFQ	5952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5419/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N5539C-1	19.5300	RFQ	8326	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5539		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
1N4133ur/tr	3.9450	RFQ	3582	微芯片技术	MIL-STD-750	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N4133ur/tr	Ear99	8541.10.0050	249			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 66.12 V				87 v	1000欧姆
CDS972B-1	-	RFQ	6232	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS972B-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTX1N4130C-1	13.5750	RFQ	9824	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4130		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
JANTX1N4567A-1/TR	6.8850	RFQ	7431	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4567A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				3 V	200欧姆
JANTX1N4578AR-1/TR	22.3050	RFQ	7631	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4578AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				3 V	50欧姆
JANTX1N4982DUS/TR	36.3090	RFQ	3673	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4982DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 76 V				100 v	110欧姆
JANS1N5415US	70.5900	RFQ	5174	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
1N4447	1.1850	RFQ	1658年	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4447	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N4447MS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1 V @ 20 ma	4 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜150°C	200mA	-
JANTX1N4479	9.4500	RFQ	9481	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4479		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V				39 v	30欧姆
JANTXV1N649UR-1/TR	-	RFQ	1097	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N649UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
JANTX1N3007RB	-	RFQ	7598	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 83.6 V				110 v	55欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²