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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比条件	q @ vr，f
JANTX1N3031D-1/TR	24.4853	RFQ	8846	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3031D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V						30 V	40欧姆
1N4121ur	3.7950	RFQ	5484	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4121		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V						33 V	200欧姆
JANTX1N4583A-1/TR	10.1400	RFQ	5299	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4583A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						3 V	25欧姆
SMBJ4745A/TR13	0.8850	RFQ	5602	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4745		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V						16 V	16欧姆
Jan1n6637us	-	RFQ	1348	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V						5.1 v	1.5欧姆
GC2545-17	-	RFQ	2740	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅				-	-			到达不受影响	150-GC2545-17	Ear99	8541.10.0060	1								2pf @ 6V，1MHz	单身的	40 V			-	-
Jan1n3823a-1/tr	6.1446	RFQ	9459	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3823A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.9 v	9欧姆
JANTX1N3043D-1/TR	24.4853	RFQ	6007	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3043D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V						91 v	250欧姆
1N6322	8.4150	RFQ	5420	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向	1N6322		500兆	B，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V						8.2 v	5欧姆
UZ7775	468.9900	RFQ	3892	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7775	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 56 V						75 v	45欧姆
1N5533CUR-1	12.9600	RFQ	7284	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5533CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
CD4581A	7.9200	RFQ	6595	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4581A	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
1月1N980DUR-1	14.2500	RFQ	7228	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N980		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V						62 v	185欧姆
JANS1N5551US	106.3950	RFQ	4024	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响	2266-JANS1N555551US	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.2 V @ 9 A	2 µs		-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N747C-1/TR	5.2668	RFQ	1362	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N747C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
JAN1N6633CUS	-	RFQ	3813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V						3.6 v	2.5欧姆
UFR3130	51.4650	RFQ	9926	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.25 V @ 30 A	50 ns		175°c （最大）	30a	115pf @ 10V，1MHz
1N5620/tr	4.7250	RFQ	2499	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5620/tr	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 800 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JANTXV1N6313US	21.4200	RFQ	8764	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6313		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		3 µA @ 1 V						3.6 v	25欧姆
1N5931A	3.0300	RFQ	3478	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5931		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V						18 V	12欧姆
JANS1N4104-1	33.7800	RFQ	9605	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V						10 v	200欧姆
1月1N3174	1.0000	RFQ	3	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.55 V @ 940 A		10 mA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTXV1N5544C-1/TR	20.8544	RFQ	3637	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5544C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.2 V						28 V	100欧姆
JANTXV1N4122DUR-1	36.0000	RFQ	9958	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4122		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.4 V						36 V	200欧姆
CDS965B-1	-	RFQ	9738	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS965B-1	Ear99	8541.10.0050	50
Jan1n4461dus	33.4500	RFQ	3582	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4461		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		5 µA @ 4.08 V						6.8 v	2.5欧姆
JANTX1N4113UR-1/TR	8.5652	RFQ	3499	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4113UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V						19 v	150欧姆
APT30DF100HJ	18.6502	RFQ	4189	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT30DF100	标准		SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1			3 V @ 30 A		100 µA @ 1000 V		45 a		单相	1 kV
JANTX1N3825D-1/TR	24.4986	RFQ	1642	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3825D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
CDLL4134	3.5850	RFQ	5769	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4134		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 69.2 V						91 v	1200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²