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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N938BUR-1/TR	-	RFQ	2917	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N938BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											9 V	20欧姆
MBR40100PTE3/TU	1.2800	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	MBR40100	肖特基		TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	100 v	40a				175°c （最大）
JANS1N4101-1/TR	31.6700	RFQ	6696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4101-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
JANTX1N3825CUR-1/TR	36.2292	RFQ	6530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3825CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
1N5923AP/TR8	1.8600	RFQ	5003	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5923		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V				8.2 v	3.5欧姆
Jan1n6325us	15.9300	RFQ	1981	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6325		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8.5 V				11 V	7欧姆
1 PMT5954B/TR7	2.2200	RFQ	2014	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V				160 v	700欧姆
JANS1N4581A-1	142.3350	RFQ	4412	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANTX1N4574A-1/TR	30.3150	RFQ	6318	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4574A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANS1N4958US/TR	107.9502	RFQ	9298	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4958US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
JANTX1N6486D	-	RFQ	3810	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
1n6332us	-	RFQ	4233	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	500欧姆
SMAJ4753E3/TR13	0.6450	RFQ	2487	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4753		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
1N5992D	5.1900	RFQ	5764	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5992		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.7 v	70欧姆
Jan1n4495us	14.3550	RFQ	7103	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4495		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
JANTXV1N3023B-1	11.8800	RFQ	7353	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3023		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
JANTXV1N6659	328.4550	RFQ	4344	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
1月1N6340	9.9000	RFQ	1707年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向	1N6340		500兆	B，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 36 V				47 V	75欧姆
JANTXV1N4107C-1	21.6900	RFQ	2745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4107		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				13 V	200欧姆
1 PMT5943A/TR13	2.2200	RFQ	4789	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
1N4370	2.1900	RFQ	4512	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4370		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANS1N4462DUS	331.1420	RFQ	9457	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4462DUS	Ear99	8541.10.0050	1
SMAJ4755CE3/TR13	0.6450	RFQ	9360	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4755		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
JANTX1N4619UR-1	12.1800	RFQ	2138	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4619		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
SMBJ4734E3/TR13	0.4350	RFQ	2194	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4734		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
1N943A-1	18.3150	RFQ	5108	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N4973US	-	RFQ	1566年	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4973		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 32.7 V				43 V	20欧姆
SMBJ5938A/TR13	1.5600	RFQ	2425	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5938		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
JAN1N3040B-1	9.2700	RFQ	9521	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3040		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
jankca1n5527b	-	RFQ	3707	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Jankca1n5527b	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V				7.5 v	35欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²