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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
UPP1002/TR13	8.8650	RFQ	8380	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		do-216aa	UPP1002			do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000		2.5 w									1.6pf @ 100V，1MHz	PIN-单	100V			1 OHM @ 10mA，100MHz
1N938A	9.7400	RFQ	99	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N938		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														9 V	20欧姆
JANTX1N6765	-	RFQ	4924	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			200 v		1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-	12a	300pf @ 5V，1MHz
MSASC75W80F/TR	-	RFQ	7988	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75W80F/tr			100
1N5529B	1.8150	RFQ	7467	微芯片技术	MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5529		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V						9.1 v	45欧姆
JANTXV1N2993B	-	RFQ	2747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 2 A		10 µA @ 32.7 V						43 V	12欧姆
JANTXV1N4581AUR-1	11.4600	RFQ	4353	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4581		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
1 PMT4099C/TR7	1.2900	RFQ	6497	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4099		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V						6.8 v	200欧姆
JANTX1N3039D-1	27.4500	RFQ	3749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3039		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V						62 v	125欧姆
JANTX1N6657	-	RFQ	1342	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			100 v		1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N749D-1/TR	12.7680	RFQ	2377	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N749D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆
JANTXV1N6674R	-	RFQ	4214	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/617	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N6674	标准		TO-254AA	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1对普通阴极	500 v	15a	1.55 V @ 20 A	35 ns	5 ma @ 400 V	-
Jan1n2810b	-	RFQ	5846	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2810		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.1 V						12 v	1欧姆
1n973a/tr	2.0083	RFQ	9433	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N973A/tr	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V						33 V	58欧姆
1N5925AP/TR8	1.8600	RFQ	6130	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5925		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V						10 v	4.5欧姆
SMBJ5373B/TR13	1.6650	RFQ	1474	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5373		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V						68 v	44欧姆
1月1N6778	-	RFQ	5818	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v		1.6 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 320 V	150°C （最大）	15a	300pf @ 5V，1MHz
CDLL5265C/TR	6.9150	RFQ	4594	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5265C/TR	Ear99	8541.10.0050	137						1.1 V @ 200 ma		100 na @ 47 V						62 v	185欧姆
Jan1n748a-1	2.0250	RFQ	4147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N748		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
SMBJ5369CE3/TR13	1.0800	RFQ	1251	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5369		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V						51 v	27欧姆
Jan1n4486us	10.8150	RFQ	5483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4486		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1 V @ 200 MA		250 na @ 60 V						75 v	130欧姆
CDLL4776A/TR	38.7150	RFQ	1973	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4776A/TR	Ear99	8541.10.0050	1								10 µA @ 6 V						8.5 v	200欧姆
1N4129	2.4450	RFQ	4979	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1 V @ 200 MA		10 NA @ 47.1 V						62 v	500欧姆
MSCDC450A120AG	527.8000	RFQ	6434	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC450	SIC （碳化硅）		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC450A120AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）		1对系列连接	1200 v	450a	1.8 V @ 450 A	0 ns	1.8 ma @ 1200 V	-40°C〜175°C
JANTX1N4969	6.2550	RFQ	2236	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4969		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V						30 V	8欧姆
1月1N829-1/tr	9.1050	RFQ	7870	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N829-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
Jan1n4980c	18.5700	RFQ	6719	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4980		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V						82 v	80欧姆
JANTX1N5816R	149.4450	RFQ	1796年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			150 v		950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
JANS1N4973CUS	368.1600	RFQ	3381	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 32.7 V						43 V	20欧姆
JANS1N4577A-1	103.1250	RFQ	9179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V						6.4 v	50欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²