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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N2840B | - | ![]() | 2984 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | to-204ad | 1N2840 | 10 W | TO-204AD(TO-3) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 30欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N4116CUR-1/TR | 25.6690 | ![]() | 2642 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4116CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150欧姆 | |||||||||||||
![]() | CD032B-1/TR | - | ![]() | 4494 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS3032B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
1月1N4119-1 | 4.1100 | ![]() | 1988 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4119 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 21.3 V | 28 V | 200欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4925A | 20.5650 | ![]() | 7920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4925 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 75欧姆 | ||||||||||||||
1N5225B/TR | 2.5669 | ![]() | 5967 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5225B/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4596 | 102.2400 | ![]() | 7636 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4596 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.1 V @ 200 A | 50 µA @ 1400 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | |||||||||||||
![]() | 1N5730B | 1.8600 | ![]() | 5823 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5730 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 2 V | 5.6 v | 25欧姆 | ||||||||||||
JANTX1N4472US | 14.4900 | ![]() | 6706 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4472 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 na @ 16 V | 20 v | 650欧姆 | |||||||||||||
![]() | Jan1n3909r | - | ![]() | 3655 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/308 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3909 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.4 V @ 50 A | 150 ns | 15 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 50a | - | ||||||||||
Jan1n4478us | 10.8150 | ![]() | 2494 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4478 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 50 NA @ 28.8 V | 36 V | 27欧姆 | |||||||||||||
1N3027BUR-1 | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1N3027 | 1 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 15.2 V | 20 v | 22欧姆 | |||||||||||||
![]() | Jan1n4960us/tr | 8.9700 | ![]() | 1253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4960US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N444467US/TR | 11.1454 | ![]() | 8152 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1.5 w | Melf,D5A | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N444467US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 200 na @ 9.6 V | 12 v | 7欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N3909AR | 48.5400 | ![]() | 6532 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3909 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.4 V @ 50 A | 150 ns | 15 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 50a | - | |||||||||||
JANTX1N985CUR-1 | 15.5700 | ![]() | 3263 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N985 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 76 V | 100 v | 500欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N5351B/TR8 | 2.6850 | ![]() | 8090 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5351 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 10.1 V | 14 V | 2.5欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N3030BUR-1 | 14.5800 | ![]() | 2244 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3030 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 20.6 V | 27 V | 35欧姆 | ||||||||||||
![]() | SMBG5348CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 1570年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5348 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 5 µA @ 8 V | 11 V | 2.5欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANS1N6337US | 164.8650 | ![]() | 3895 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 27 V | 36 V | 50欧姆 | ||||||||||||||
1N826/tr | 6.3600 | ![]() | 7076 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N826/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15欧姆 | |||||||||||||||
![]() | SMBJ5927BE3/TR13 | 0.3000 | ![]() | 2222 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5927 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 6.5欧姆 | ||||||||||||
1N965A | - | ![]() | 6172 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 16欧姆 | ||||||||||||||
Jan1n4619c-1 | 9.5850 | ![]() | 8869 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4619 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 400 na @ 1 V | 3 V | 1600欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5953C/TR13 | 2.7600 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 v | 600欧姆 | ||||||||||||
![]() | R2080 | 33.4500 | ![]() | 3472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | R20 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | R2080 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 16a | - | ||||||||||||
JANTXV1N972B-1 | 3.4800 | ![]() | 4806 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N972 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49欧姆 | |||||||||||||
![]() | GC4321-00 | - | ![]() | 3756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C〜150°C | 死 | 芯片 | - | 到达不受影响 | 150-GC4321-00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.1pf @ 10V,1MHz | PIN-单 | 200V | 1.2OHM @ 20mA,1GHz | |||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4119C/TR7 | 1.2450 | ![]() | 3931 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 21.28 V | 28 V | 200欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5946C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 v | 140欧姆 |
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