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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
HSM320G/TR13	1.5000	RFQ	3809	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					HSM320				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
JANTXV1N6492	-	RFQ	1255	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/567	大部分	积极的			通过洞	to-205af金属罐	1N6492	肖特基		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	560 mv @ 2 a		2 ma @ 45 V	-65°C〜175°C	3.6a	450pf @ 5V，1MHz
UFS310JE3/TR13	1.3050	RFQ	7680	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS310	标准		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	950 mv @ 3 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANTX1N4577A-1	8.8200	RFQ	1980	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4577		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				3 V	50欧姆
SMBJ5943B/TR13	1.5600	RFQ	1600	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5943		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
S30640	39.0750	RFQ	7971	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S30640	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	85a	-
JANS1N4113UR-1	48.9900	RFQ	6975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆
SMBG5342A/TR13	2.2200	RFQ	8436	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5342		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
UZ8815	22.4400	RFQ	1137	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8815	Ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 10.8 V				15 v	14欧姆
1 PMT5927CE3/TR7	0.7350	RFQ	9872	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
1N6025B	2.7750	RFQ	7921	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6025		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V				110 v	650欧姆
JANTX1N4128D-1	16.9800	RFQ	7534	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4128		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
JANTX1N4099C-1	12.7500	RFQ	9616	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4099		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
1N5222BUR-1	2.8650	RFQ	2045	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5222		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
1N4148UB2R	27.0900	RFQ	1818年	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	1N4148	标准		UB2	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
JANTX1N5524C-1	-	RFQ	7145	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	在sic中停产	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
JANTXV1N6662US/TR	-	RFQ	2035	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6662US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	-
1N758A-1	2.1750	RFQ	8273	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N758		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2266-1N758A-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				10 v	17欧姆
JANTX1N746AR-1	4.7100	RFQ	6966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N746		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
Jan1n3913r	-	RFQ	7090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 50 A	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
1N5991	1.9950	RFQ	5009	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
1N5952D	7.5450	RFQ	7757	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5952		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V				130 v	450欧姆
JANTX1N4108D-1	23.8650	RFQ	9249	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4108		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
JANS1N4099D-1	102.3000	RFQ	5436	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
CD4709	2.3408	RFQ	1765年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4709	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 na @ 18.2 V				24 V
JAN1N6912UTK2	-	RFQ	7040	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
Janhca1n973b	8.5785	RFQ	6690	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n973b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	58欧姆
UZ720	22.4400	RFQ	5944	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ720	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 15.2 V				20 v	9欧姆
JANTX1N6633US/TR	301.6706	RFQ	1244	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6633US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V				3.6 v	2.5欧姆
JANTX1N2840B	-	RFQ	2984	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2840		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 83.6 V				110 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²