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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
1 PMT5936BE3/TR7	0.7350	RFQ	9130	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V						30 V	28欧姆
1N4470US	11.4600	RFQ	9065	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4470		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4470USM	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 na @ 12.8 V						16 V	10欧姆
JANTXV1N6489DUS/TR	-	RFQ	3821	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6489DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
JANTX1N649-1	-	RFQ	9119	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N649	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	400mA	-
JANS1N4962US/TR	86.0502	RFQ	1901年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4962US/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		5 µA @ 11.4 V						15 v	3.5欧姆
JANS1N5619/TR	67.2000	RFQ	5200	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5619/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns		-65°C 〜200°C	1a	-
JANTXV1N6342DUS/TR	68.7000	RFQ	3945	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6342DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100				1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V						56 v	100欧姆
1N5367A/TR12	2.6250	RFQ	6574	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V						43 V	20欧姆
1N5942CPE3/TR8	1.2000	RFQ	4290	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5942		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V						51 v	70欧姆
JANTXV1N747CUR-1/TR	19.1786	RFQ	8888	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N747CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
jankca1n5534c	-	RFQ	5165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5534C	Ear99	8541.10.0050	100				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V						14 V	100欧姆
Jan1n4475d	25.4550	RFQ	4049	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4475		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 MA		50 NA @ 21.6 V						27 V	18欧姆
1N5526BUR-1/TR	6.6900	RFQ	1086	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V						6.8 v	30欧姆
1N5263BUR-1	2.9400	RFQ	7012	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5263		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 na @ 43 V						56 v	150欧姆
1月1N6638US	6.5700	RFQ	4756	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	do-213ab，Melf	1N6638	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v	1.1 V @ 200 ma	20 ns	500 NA @ 150 V	-65°C〜175°C	300mA	2.5pf @ 0v，1MHz
JAN1N6330DUS	38.2200	RFQ	3483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6330DUS	Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		50 na @ 14 V						18 V	14欧姆
JANTXV1N3033DUR-1	56.9100	RFQ	4777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3033		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
1月1N6622	-	RFQ	3179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	在sic中停产			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v	1.6 V @ 2 A	30 ns	500 NA @ 660 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
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1N4760AUR	3.4650	RFQ	5288	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4760		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V						68 v	150欧姆
CDLL5264C/TR	6.9150	RFQ	5294	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5264C/TR	Ear99	8541.10.0050	137				1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 46 V						60 V	170欧姆
CDLL4371A	5.9550	RFQ	6084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4371		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
JANS1N6322D	350.3400	RFQ	3184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6322D	Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V						8.2 v	5欧姆
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JANTXV1N4980US	-	RFQ	2351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V						82 v	80欧姆
JANTXV1N821UR-1	7.2600	RFQ	3983	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	do-213aa	1N821		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
S2120	33.4500	RFQ	6026	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S2120	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	22a	-
1N5352CE3/TR8	3.3900	RFQ	3833	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000				1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.8 V						15 v	2.5欧姆
UM4006B	-	RFQ	4327	微芯片技术	UM4000	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UM4006BTR	Ear99	8541.10.0060	1		12 w							3pf @ 100V，1MHz	PIN-单	600V			500MOHM @ 100mA，100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²