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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
UPR20E3/TR13	1.0800	RFQ	1449	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR20	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.25 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	-
CDLL5226A/TR	2.7132	RFQ	5573	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5226A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JANTX1N3026D-1	25.4550	RFQ	6792	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3026		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N5945E3/TR13	-	RFQ	8840	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5945		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V				68 v	120欧姆
CD4616	1.8354	RFQ	9045	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4616	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		4 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
JANTXV1N4469C	31.6350	RFQ	3739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4469		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
1N6536/tr	26.2800	RFQ	7493	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准，反极性		a，轴向	-			到达不受影响	150-1N6536/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.5 V @ 1 A	30 ns	10 µA @ 400 V	-	1a	-
Jan1n5519bur-1	13.5600	RFQ	1605	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5519		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
JANTX1N4110CUR-1	24.6750	RFQ	2564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4110		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.2 V				16 V	100欧姆
1N5928BP/TR8	1.8900	RFQ	8980	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5928		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
JANTXV1N3321RB	-	RFQ	2478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 18.2 V				24 V	2.6欧姆
Jan1n5618us	-	RFQ	1732年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1N6764	199.5300	RFQ	1203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/642	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N6764	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	12a	300pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N4986	19.9650	RFQ	4351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4986		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 114 V				150 v	330欧姆
1N5712UBCA/TR	32.0600	RFQ	5851	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-							100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
SBR6035R	126.8400	RFQ	5368	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		35 v		600 mv @ 60 a			-65°C〜150°C	60a	-
1N5922PE3/TR8	0.9150	RFQ	9817	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5922		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 v	3欧姆
JAN1N3045CUR-1	32.5950	RFQ	8755	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3045		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
SMBJ5356A/TR13	1.6350	RFQ	2379	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5356		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
1N759A-1/tr	2.0748	RFQ	4448	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N759A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	10欧姆
APT30D30BCTG	5.1200	RFQ	87	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT30	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	30a	1.4 V @ 30 A	25 ns	250 µA @ 300 V	-55°C〜150°C
1N4903/tr	159.0600	RFQ	2082	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4903/tr	Ear99	8541.10.0050	1											12.8 v	200欧姆
1N4987US	12.9600	RFQ	6046	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4987		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 121.6 V				160 v	350欧姆
JANS1N4974US/TR	86.0502	RFQ	8950	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4974US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆
1n991bur-1	14.2050	RFQ	9093	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N991		400兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
1N5278B/TR	2.9260	RFQ	5600	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5278B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 129 V				170 v	1900欧姆
JANTXV1N4117CUR-1/TR	25.6690	RFQ	5197	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4117CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
1N5545B/TR	2.8861	RFQ	1512	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5545b/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	112欧姆
1N4488US	11.3550	RFQ	8827	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4488		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4488USM	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 na @ 72.8 V				91 v	200欧姆
Jan1n6627us/tr	14.3550	RFQ	3523	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6627US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		440 v		1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²