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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JAN1N4624CUR-1 Microchip Technology JAN1N4624CUR-1 16.7700
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4624 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JAN1N4624D-1 Microchip Technology JAN1N4624D-1 12.0000
RFQ
 ECAD 5394 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4624 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JANTX1N4624DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4624DUR-1 36.6000
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4624 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JANTXV1N4624DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4624DUR-1 -
RFQ
 ECAD 6751 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JAN1N4625D-1 Microchip Technology JAN1N4625D-1 12.0000
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4625 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.1 v 1500欧姆
JAN1N4626-1 Microchip Technology 1月1N4626-1 -
RFQ
 ECAD 7997 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JANTXV1N4626C-1 Microchip Technology JANTXV1N4626C-1 24.1200
RFQ
 ECAD 4387 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4626 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JAN1N4626D-1 Microchip Technology JAN1N4626D-1 12.0000
RFQ
 ECAD 2805 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4626 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JANTX1N4626DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4626DUR-1 30.4050
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4626 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JAN1N4626UR-1 Microchip Technology Jan1n4626ur-1 -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JAN1N4627CUR-1 Microchip Technology JAN1N4627CUR-1 16.7700
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4627 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
JANTX1N4627D-1 Microchip Technology JANTX1N4627D-1 -
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
JANTX1N4627DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4627DUR-1 34.2150
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4627 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
JANTX1N4627UR-1 Microchip Technology JANTX1N4627UR-1 10.6800
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4627 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
JANTXV1N4954CUS Microchip Technology JANTXV1N4954CUS 33.8250
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4954 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 150 µA @ 5.2 V 6.8 v 1欧姆
JAN1N4954D Microchip Technology Jan1n4954d 18.7350
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4954 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 150 µA @ 5.2 V 6.8 v 1欧姆
JAN1N4955DUS Microchip Technology JAN1N4955DUS 31.3500
RFQ
 ECAD 1556年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4955 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 100 µA @ 5.7 V 7.5 v 1.5欧姆
JAN1N4956C Microchip Technology Jan1n4956c 14.9250
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4956 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 µA @ 6.2 V 8.2 v 1.5欧姆
JAN1N4957C Microchip Technology 1月1N4957C 16.7700
RFQ
 ECAD 7914 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4957 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 2欧姆
JAN1N4958C Microchip Technology 1月1N4958C 14.9250
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4958 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 7.6 V 10 v 2欧姆
JANTX1N4960C Microchip Technology JANTX1N4960C 18.2850
RFQ
 ECAD 5213 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4960 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 2.5欧姆
JAN1N4960D Microchip Technology Jan1n4960d 20.7300
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4960 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 2.5欧姆
JAN1N4961CUS Microchip Technology Jan1n4961cus 22.5600
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4961 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 3欧姆
JAN1N4962CUS Microchip Technology JAN1N4962CUS 22.5600
RFQ
 ECAD 1614年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4962 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 11.4 V 15 v 3.5欧姆
JANTX1N4962DUS Microchip Technology JANTX1N4962DUS 29.4600
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4962 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 11.4 V 15 v 3.5欧姆
JAN1N4964DUS Microchip Technology Jan1n4964dus 29.4600
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4964 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 13.7 V 18 V 4欧姆
JAN1N4965DUS Microchip Technology JAN1N4965DUS 31.3500
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4965 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 15.2 V 20 v 4.5欧姆
JAN1N4966CUS Microchip Technology 1月1N4966CUS 23.5500
RFQ
 ECAD 8882 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4966 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
JAN1N4966DUS Microchip Technology Jan1n4966dus 29.4600
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4966 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
JANTX1N4967C Microchip Technology JANTX1N4967C 18.2550
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4967 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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