SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 电容比条件 q @ vr,f
JANTX1N983DUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N983DUR-1/TR 17.3964
RFQ
ECAD 2133 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N983 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N983DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 62 V 82 v 330欧姆
JANTXV1N5419/TR Microchip Technology JANTXV1N5419/TR 11.3850
RFQ
ECAD 5952 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 B,轴向 标准 B,轴向 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5419/TR Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 500 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5539C-1 Microchip Technology JANTX1N5539C-1 19.5300
RFQ
ECAD 8326 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5539 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 17.1 V 19 v 100欧姆
1N4133UR/TR Microchip Technology 1N4133ur/tr 3.9450
RFQ
ECAD 3582 0.00000000 微芯片技术 MIL-STD-750 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 150-1N4133ur/tr Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 66.12 V 87 v 1000欧姆
CDS972B-1 Microchip Technology CDS972B-1 -
RFQ
ECAD 6232 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-CDS972B-1 Ear99 8541.10.0050 50
JANTX1N4130C-1 Microchip Technology JANTX1N4130C-1 13.5750
RFQ
ECAD 9824 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4130 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
JANTX1N4567A-1/TR Microchip Technology JANTX1N4567A-1/TR 6.8850
RFQ
ECAD 7431 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4567A-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 3 V 200欧姆
JANTX1N4578AUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N4578AR-1/TR 22.3050
RFQ
ECAD 7631 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4578AUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 3 V 50欧姆
JANTX1N4982DUS/TR Microchip Technology JANTX1N4982DUS/TR 36.3090
RFQ
ECAD 3673 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4982DUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 76 V 100 v 110欧姆
JANS1N5415US Microchip Technology JANS1N5415US 70.5900
RFQ
ECAD 5174 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 标准 B,平方米 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.5 V @ 9 A 150 ns -65°C〜175°C 3a -
1N4447 Microchip Technology 1N4447 1.1850
RFQ
ECAD 1658年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4447 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 1N4447MS Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1 V @ 20 ma 4 ns 25 na @ 20 V -65°C〜150°C 200mA -
JANTX1N4479 Microchip Technology JANTX1N4479 9.4500
RFQ
ECAD 9481 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4479 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 31.2 V 39 v 30欧姆
JANTXV1N649UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N649UR-1/TR -
RFQ
ECAD 1097 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/240 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-213aa 标准 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N649UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 400 MA -65°C〜175°C 400mA -
JANTX1N3007RB Microchip Technology JANTX1N3007RB -
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W DO-213AA(DO-4) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 83.6 V 110 v 55欧姆
CDLL4477 Microchip Technology CDLL4477 11.3550
RFQ
ECAD 5495 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL4477 1.5 w do-213ab - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 50 NA @ 26.4 V 33 V 25欧姆
S3540 Microchip Technology S3540 36.6600
RFQ
ECAD 8152 0.00000000 微芯片技术 S35 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S354 标准 do-5 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.25 V @ 200 A 5 µs 25 µA @ 400 V -65°C 〜200°C 70a -
1N5944CP/TR8 Microchip Technology 1N5944CP/TR8 2.2800
RFQ
ECAD 3339 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5944 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 47.1 V 62 v 100欧姆
CD5525C Microchip Technology CD5525C -
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 500兆 - 到达不受影响 150-CD5525C Ear99 8541.10.0050 205 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 6.2 v 30欧姆
JANTX1N6858-1 Microchip Technology JANTX1N6858-1 -
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/444 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 肖特基 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 35 MA 200 na @ 50 V -65°C〜150°C 75mA 4.5pf @ 0v,1MHz
CDLL5278B/TR Microchip Technology CDLL5278B/TR 2.9526
RFQ
ECAD 8241 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf do-213ab - rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5278B/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 123 V 170 v 1900欧姆
JANHCA1N976B Microchip Technology Janhca1n976b 8.5785
RFQ
ECAD 7558 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 DO-7(do-204AA) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n976b Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 32.7 V 43 V 93欧姆
JANTX1N4120UR-1/TR Microchip Technology JANTX1N4120UR-1/TR 8.5652
RFQ
ECAD 8618 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4120UR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
JANKCA1N4125 Microchip Technology jankca1n4125 -
RFQ
ECAD 1710 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 DO-7(do-204AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N4125 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 35.75 V 47 V 250欧姆
BZV55C36/TR Microchip Technology BZV55C36/TR 2.8994
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() do-213aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-BZV55C36/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 25.2 V 36 V
JAN1N3018D-1/TR Microchip Technology Jan1n3018d-1/tr 21.8253
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N3018D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 150 µA @ 5.2 V 8.2 v 4.5欧姆
CDLL5920B Microchip Technology CDLL5920B 3.9300
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5920 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 2欧姆
JAN1N4576AUR-1/TR Microchip Technology Jan1n4576aur-1/tr 8.2950
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4576AUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 50欧姆
KVX2152-23-0/TR Microchip Technology KVX2152-23-0/TR 3.5400
RFQ
ECAD 1564年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-KVX2152-23-0/tr Ear99 8541.10.0080 1,000 1.3pf @ 20V,1MHz 单身的 22 v - 600 @ 4V,50MHz
JANTX1N4969US/TR Microchip Technology JANTX1N4969US/TR 8.9243
RFQ
ECAD 2732 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4969US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 22.8 V 30 V 8欧姆
CDLL4700 Microchip Technology CDLL4700 3.3000
RFQ
ECAD 1094 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL4700 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.8 V 13 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库