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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电容比条件 | q @ vr,f |
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JANTX1N983DUR-1/TR | 17.3964 | ![]() | 2133 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N983 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N983DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 62 V | 82 v | 330欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5419/TR | 11.3850 | ![]() | 5952 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5419/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 500 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||
JANTX1N5539C-1 | 19.5300 | ![]() | 8326 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5539 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 17.1 V | 19 v | 100欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4133ur/tr | 3.9450 | ![]() | 3582 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-STD-750 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-1N4133ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 249 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 66.12 V | 87 v | 1000欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | CDS972B-1 | - | ![]() | 6232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS972B-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
JANTX1N4130C-1 | 13.5750 | ![]() | 9824 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4130 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 51.7 V | 68 v | 700欧姆 | ||||||||||||||
JANTX1N4567A-1/TR | 6.8850 | ![]() | 7431 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4567A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 V | 200欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4578AR-1/TR | 22.3050 | ![]() | 7631 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4578AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 V | 50欧姆 | |||||||||||||||
JANTX1N4982DUS/TR | 36.3090 | ![]() | 3673 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4982DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 76 V | 100 v | 110欧姆 | |||||||||||||||
JANS1N5415US | 70.5900 | ![]() | 5174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 标准 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N4447 | 1.1850 | ![]() | 1658年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4447 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N4447MS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 20 ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | -65°C〜150°C | 200mA | - | ||||||||||
JANTX1N4479 | 9.4500 | ![]() | 9481 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4479 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 31.2 V | 39 v | 30欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N649UR-1/TR | - | ![]() | 1097 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/240 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N649UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 400 MA | -65°C〜175°C | 400mA | - | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N3007RB | - | ![]() | 7598 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 55欧姆 | |||||||||||||||
CDLL4477 | 11.3550 | ![]() | 5495 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL4477 | 1.5 w | do-213ab | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 50 NA @ 26.4 V | 33 V | 25欧姆 | ||||||||||||||
![]() | S3540 | 36.6600 | ![]() | 8152 | 0.00000000 | 微芯片技术 | S35 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S354 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.25 V @ 200 A | 5 µs | 25 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | ||||||||||||
![]() | 1N5944CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 3339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5944 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 47.1 V | 62 v | 100欧姆 | |||||||||||||
![]() | CD5525C | - | ![]() | 2541 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5525C | Ear99 | 8541.10.0050 | 205 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30欧姆 | |||||||||||||||
JANTX1N6858-1 | - | ![]() | 5739 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 35 MA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 75mA | 4.5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | CDLL5278B/TR | 2.9526 | ![]() | 8241 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | do-213ab | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5278B/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 123 V | 170 v | 1900欧姆 | |||||||||||||||
![]() | Janhca1n976b | 8.5785 | ![]() | 7558 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | DO-7(do-204AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n976b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 93欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N4120UR-1/TR | 8.5652 | ![]() | 8618 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4120UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200欧姆 | ||||||||||||||
![]() | jankca1n4125 | - | ![]() | 1710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | DO-7(do-204AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N4125 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 35.75 V | 47 V | 250欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZV55C36/TR | 2.8994 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-BZV55C36/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 25.2 V | 36 V | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n3018d-1/tr | 21.8253 | ![]() | 3667 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N3018D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 8.2 v | 4.5欧姆 | ||||||||||||||
CDLL5920B | 3.9300 | ![]() | 2715 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5920 | 1.25 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 2欧姆 | ||||||||||||||
![]() | Jan1n4576aur-1/tr | 8.2950 | ![]() | 3306 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4576AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 50欧姆 | |||||||||||||||
![]() | KVX2152-23-0/TR | 3.5400 | ![]() | 1564年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-KVX2152-23-0/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.3pf @ 20V,1MHz | 单身的 | 22 v | - | 600 @ 4V,50MHz | |||||||||||||||
JANTX1N4969US/TR | 8.9243 | ![]() | 2732 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4969US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 22.8 V | 30 V | 8欧姆 | |||||||||||||||
CDLL4700 | 3.3000 | ![]() | 1094 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL4700 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.8 V | 13 V |
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