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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
JANTXV1N4471US	25.7700	RFQ	1242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4471		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V						18 V	11欧姆
JANS1N5711-1/TR	-	RFQ	2324	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基，反极性		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N5711-1/TR	Ear99	8541.10.0070	50	小信号= <200ma（io（io），任何速度		70 v	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
1N5986D	5.1900	RFQ	7634	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5986		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V						2.7 v	100欧姆
SMBJ5920AE3/TR13	0.8850	RFQ	7348	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5920		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	2欧姆
JANTXV1N6312DUS	68.5350	RFQ	4091	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6312		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V						3.3 v	27欧姆
JANTXV1N6910UTK2CS	-	RFQ	9367	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）		15 v	520 mv @ 25 A		1.2 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V，1MHz
MBR2080CTE3/TU	1.1700	RFQ	7235	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2080				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
JANS1N4621UR-1	69.6150	RFQ	2193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V						3.6 v	1700欧姆
JANTXV1N6485US	-	RFQ	2947	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SQ-MELF，a	1N6485		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
JANTX1N3049BUR-1	-	RFQ	2974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 121.6 V						160 v	1100欧姆
1N4756AP/TR8	1.8900	RFQ	8304	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4756		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V						47 V	80欧姆
CDLL5271C	6.7200	RFQ	7355	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5271C	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V						100 v	500欧姆
SMBG5368B/TR13	2.2500	RFQ	6649	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5368		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 33.8 V						47 V	25欧姆
JANTXV1N3827CUR-1/TR	44.1427	RFQ	7264	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3827CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V						5.6 v	5欧姆
UFS105JE3/TR13	0.9000	RFQ	2719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214BA	UFS105	标准		DO-214BA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V	950 MV @ 1 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-55°C 〜175°C	1a	-
1月1N970CUR-1/TR	10.2410	RFQ	2852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N970CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V						24 V	33欧姆
1N3169	216.8850	RFQ	3651	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3169	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3169MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v	1.25 V @ 240 A		75 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	240a	-
1N4103ur/tr	3.5245	RFQ	1991	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4103ur/tr	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.92 V						9.1 v	200欧姆
JANS1N5623US/TR	89.7000	RFQ	5655	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5623US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			1.6 V @ 3 A	500 ns		-65°C〜175°C	1a	-
JANS1N4107D-1/TR	94.7000	RFQ	4900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4107D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V						13 V	200欧姆
SMAJ5917BE3/TR13	0.8850	RFQ	4065	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5917		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V						4.7 v	5欧姆
S3220	49.0050	RFQ	5731	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S3220			1
1N3034BUR -1/tr	15.4500	RFQ	2877	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	100				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V						39 v	60欧姆
GC4411-01	-	RFQ	8691	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		死				芯片	-			到达不受影响	150-GC4411-01	Ear99	8541.10.0040	1		50 mA							0.25pf @ 50V，1MHz	PIN-单	100V			500MOHM @ 100mA，100MHz
JANTX1N6312CUS	44.4750	RFQ	4126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6312		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V						3.3 v	27欧姆
JANTXV1N7051UR-1	12.8250	RFQ	8859	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4461C	32.3100	RFQ	9964	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4461		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 MA		5 µA @ 4.08 V						6.8 v	2.5欧姆
CDLL6346	14.6400	RFQ	3035	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL6346		500兆	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 62 V						82 v	220欧姆
JANTX1N4978US	9.6150	RFQ	2259	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4978		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 51.7 V						68 v	50欧姆
UPR20E3/TR13	1.0800	RFQ	1449	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR20	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²