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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CD4751A	1.8354	RFQ	3797	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4751A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 22.8 V				30 V	40欧姆
JANTXV1N3017CUR-1/TR	41.0438	RFQ	2253	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3017CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
CDLL5233C/TR	6.9150	RFQ	1244	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5233C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7欧姆
1N2058	158.8200	RFQ	2981	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2058	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	250 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 250 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N1206AR	34.7100	RFQ	1604	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1206	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1206ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	12a	-
CDLL5231	3.0150	RFQ	6944	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5231		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	17欧姆
1月1N4938-1	-	RFQ	6608	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/169	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4938	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	175 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	100mA	-
JANTXV1N5520C-1	23.3700	RFQ	3966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
1N6075US	17.7300	RFQ	3115	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6075	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	2.04 V @ 9.4 A	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	3a	-
JANS1N5616US	49.9950	RFQ	3325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-
JANS1N4124D-1/TR	94.7000	RFQ	2739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4124D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
1N4478US	11.3550	RFQ	4046	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4478		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4478USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 28.8 V				36 V	27欧姆
CDLL975B	2.8650	RFQ	5701	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL975		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V				39 v	90欧姆
JAN1N4100C-1	10.5000	RFQ	2849	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4100			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
1N3015RB	40.3200	RFQ	7794	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3015		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 152 V				200 v	300欧姆
SMBJ4747/TR13	0.8700	RFQ	9536	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4747		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
SMBJ5360CE3/TR13	1.0800	RFQ	3211	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5360		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 18 V				25 v	4欧姆
JAN1N4565AR-1	5.2200	RFQ	3051	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4565		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N5341CE3/TR13	-	RFQ	8058	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5341		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6.2 v	1欧姆
JANTXV1N4471US	25.7700	RFQ	1242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4471		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
JANS1N5711-1/TR	-	RFQ	2324	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基，反极性		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N5711-1/TR	Ear99	8541.10.0070	50	小信号= <200ma（io（io），任何速度	70 v	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
1N5986D	5.1900	RFQ	7634	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5986		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.7 v	100欧姆
SMBJ5920AE3/TR13	0.8850	RFQ	7348	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5920		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
JANTXV1N6312DUS	68.5350	RFQ	4091	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6312		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.3 v	27欧姆
JANTXV1N6910UTK2CS	-	RFQ	9367	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	15 v	520 mv @ 25 A		1.2 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V，1MHz
MBR2080CTE3/TU	1.1700	RFQ	7235	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2080				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
JANS1N4621UR-1	69.6150	RFQ	2193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
JANTXV1N6485US	-	RFQ	2947	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SQ-MELF，a	1N6485		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTX1N3049BUR-1	-	RFQ	2974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 121.6 V				160 v	1100欧姆
1N4756AP/TR8	1.8900	RFQ	8304	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4756		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²