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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N3025D-1/TR	24.4853	RFQ	3952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3025D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
Jan1n5543b-1/tr	5.0407	RFQ	6387	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5543B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
Janhca1n4625	12.1695	RFQ	1738年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4625	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
JANS1N6486CUS/TR	-	RFQ	9269	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANS1N6486CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
JAN1N3040DUR-1/TR	36.2558	RFQ	4026	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3040DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
1N3017BUR-1	16.1100	RFQ	9472	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3017		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
JANS1N4130C-1	67.5450	RFQ	6995	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
JANTXV1N4620C-1/TR	13.2335	RFQ	2911	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4620C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1650年
JANTX1N5968DUS	-	RFQ	7974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
JANTX1N4134-1	5.3100	RFQ	7114	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4134		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
SMBG5350CE3/TR13	1.4400	RFQ	4685	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5350		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 9.4 V				13 V	2.5欧姆
1 PMT4102C/TR7	1.2450	RFQ	4836	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.61 V				8.7 v	200欧姆
CDLL5521A	6.4800	RFQ	8889	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5521		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	18欧姆
SMBG5357CE3/TR13	1.4400	RFQ	5916	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5357		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
CDLL5222B	2.8650	RFQ	4965	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5222		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
JANS1N4973	80.1900	RFQ	3353	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 32.7 V				43 V	20欧姆
JANTXV1N4995DUS/TR	-	RFQ	1017	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4995DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 274 V				360 v	1400欧姆
JAN1N3828DUR-1	44.4150	RFQ	6125	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3828		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
1 PMT4111/TR7	0.9600	RFQ	7976	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.92 V				17 V	100欧姆
JANTXV1N823-1	-	RFQ	7188	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	在sic中停产	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
CD4751A	1.8354	RFQ	3797	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4751A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 22.8 V				30 V	40欧姆
JANTXV1N3017CUR-1/TR	41.0438	RFQ	2253	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3017CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
CDLL5233C/TR	6.9150	RFQ	1244	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5233C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7欧姆
1N2058	158.8200	RFQ	2981	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2058	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	250 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 250 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N1206AR	34.7100	RFQ	1604	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1206	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1206ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	12a	-
CDLL5231	3.0150	RFQ	6944	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5231		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	17欧姆
1月1N4938-1	-	RFQ	6608	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/169	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4938	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	175 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	100mA	-
JANTXV1N5520C-1	23.3700	RFQ	3966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
1N6075US	17.7300	RFQ	3115	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6075	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	2.04 V @ 9.4 A	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	3a	-
JANS1N5616US	49.9950	RFQ	3325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²