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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比条件	q @ vr，f
1N3155A	15.7600	RFQ	156	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3155		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V						8.4 v	15欧姆
CDLL4737A	3.4650	RFQ	8998	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4737			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V						7.5 v	4欧姆
SMBJ5379AE3/TR13	0.8100	RFQ	4448	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5379		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 79.2 V						110 v	125欧姆
1N3316RA	49.3800	RFQ	2400	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3316		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 13 V						17 V	1.8欧姆
UPS3100/TR13	1.5600	RFQ	9094	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS3100	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		760 mv @ 3 a		200 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	3a	85pf @ 4V，1MHz
CD2810	2.2650	RFQ	9562	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD2810	Ear99	8541.10.0040	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		15 v		1 V @ 35 MA		100 na @ 15 V	-55°C〜125°C	35mA	1.2pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N4992DUS	74.2350	RFQ	6165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V						270 v	800欧姆
JANTXV1N4133C-1	23.1600	RFQ	6603	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4133		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V						87 v	1000欧姆
1N5373A/TR8	2.6250	RFQ	6375	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5373		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V						68 v	44欧姆
JANTX1N3828D-1	27.4650	RFQ	6957	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3828		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 3 V						6.2 v	2欧姆
S8-4150E3/TR13	2.2350	RFQ	8108	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	S8-4150	标准		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	4独立	50 V	400mA（DC）	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
JANTX1N969C-1/TR	5.5594	RFQ	8961	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N969C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V						22 v	29欧姆
KVX38S2-23-0	6.4400	RFQ	97	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KVX38S2			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1										32pf @ 3V，1MHz	单身的	27 V			-	200 @ 4V，50MHz
1N5523BUR-1E3	6.4505	RFQ	5497	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5523BUR-1E3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V						5.1 v	26欧姆
JANTXV1N4979DUS	51.1200	RFQ	8737	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4979DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 56 V						75 v	55欧姆
JANTXV1N4134-1/TR	8.1662	RFQ	1232	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4134-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V						91 v	1200欧姆
CDLL5240A/TR	2.7132	RFQ	4724	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5240A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 8 V						10 v	17欧姆
jankca1n5526c	-	RFQ	7713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5526C	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V						6.8 v	30欧姆
60HFU-200	116.5650	RFQ	4550	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-60HFU-200			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v					-65°C〜175°C	-	-
CDLL4745	3.4650	RFQ	3755	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4745			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 12.2 V						16 V	16欧姆
1N5361CE3/TR13	1.3350	RFQ	8939	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V						27 V	5欧姆
JANTXV1N3028BUR-1/TR	16.1196	RFQ	7365	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3028BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V						22 v	23欧姆
1月1N975BUR-1/TR	4.0831	RFQ	9693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N975BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V						39 v	80欧姆
SMBJ5354B/TR13	1.5600	RFQ	8154	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5354		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 12.2 V						17 V	2.5欧姆
CDLL937/TR	8.9250	RFQ	4367	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL937/tr	Ear99	8541.10.0050	1													9 V	20欧姆
JANTX1N978BUR-1	6.0900	RFQ	9970	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V						51 v	125欧姆
Janhca1n4130	13.2734	RFQ	6645	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4130	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 51.68 V						68 v	700欧姆
Jan1n3033b-1/tr	8.3524	RFQ	7452	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3033B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
JANS1N4985US	92.0400	RFQ	1541年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 98.8 V						130 v	190欧姆
JANTX1N2822B	-	RFQ	8111	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2822		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 20.6 V						27 V	2.8欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²