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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
CDLL4759	3.4650	RFQ	9557	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4759			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma	100 na @ 47.1 V						62 v	125欧姆
1N3267R	158.8200	RFQ	1439	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3267	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3267RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v	1.3 V @ 300 A	75 µA @ 400 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTXV1N6331	14.6700	RFQ	7997	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6331		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A	50 na @ 15 V						20 v	18欧姆
Jan1n4580aur-1/tr	5.3850	RFQ	2466	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4580AR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
JANS1N5968CUS	-	RFQ	9924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A	5 ma @ 4.28 V						5.6 v	1欧姆
1月1N2819RB	-	RFQ	1897年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2819		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A	10 µA @ 16.7 V						22 v	2.5欧姆
JAN1N4955CUS	25.0800	RFQ	7787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4955		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A	100 µA @ 5.7 V						7.5 v	1.5欧姆
SMBJ4745/TR13	0.8700	RFQ	7367	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4745		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 12.2 V						16 V	16欧姆
CDLL5518A/TR	5.9052	RFQ	7223	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5518A/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 900 mV						3.3 v	26欧姆
JANTXV1N5533BUR-1/TR	17.2900	RFQ	4562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5533BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
1N4748APE3/TR12	0.9450	RFQ	1324	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4748		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 16.7 V						22 v	23欧姆
1N5529B	1.8150	RFQ	7467	微芯片技术	MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5529		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	100 na @ 8.2 V						9.1 v	45欧姆
JANTX1N3030BUR-1	14.5800	RFQ	2244	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3030		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 20.6 V						27 V	35欧姆
Jan1n4960us/tr	8.9700	RFQ	1253	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4960US/TR	Ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 A	10 µA @ 9.1 V						12 v	2.5欧姆
R2170	33.4500	RFQ	8999	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R2170			1
SMBJ5927BE3/TR13	0.3000	RFQ	2222	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5927		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 9.1 V						12 v	6.5欧姆
R2080	33.4500	RFQ	3472	微芯片技术	R20	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	R2080	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v	1.3 V @ 30 A	10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	16a	-
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CDLL5267A	3.5850	RFQ	7176	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5267		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	100 na @ 56 V						75 v	270欧姆
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1 PMT5946C/TR7	2.7600	RFQ	4394	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 56 V						75 v	140欧姆
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JANTX1N942BUR-1/TR	-	RFQ	5560	微芯片技术	MIL-PRF-19500/157	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-JANTX1N942BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V						11.7 v	30欧姆
JANS1N4567A-1	103.1250	RFQ	5854	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	200欧姆
Jan1n4619c-1	9.5850	RFQ	8869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4619		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	400 na @ 1 V						3 V	1600欧姆
1N5351B/TR8	2.6850	RFQ	8090	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5351		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000				1.2 V @ 1 A	1 µA @ 10.1 V						14 V	2.5欧姆
1N965A	-	RFQ	6172	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 11.4 V						15 v	16欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²