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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n4489dus/tr	34.7550	RFQ	2623	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N444489DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
JANTX1N5522B-1	7.2300	RFQ	1361	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5522		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.7 v	22欧姆
CDLL4135C	7.9350	RFQ	5779	微芯片技术	-	包	积极的	-	-	-	-	CDLL4135			-	-			到达不受影响	CDLL4135CMS	Ear99	8541.10.0050	1
S2160	33.4500	RFQ	9030	微芯片技术	S21	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S2160	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	22a	-
1N5999C	4.1550	RFQ	2352	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5999		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 7 V				9.1 v	10欧姆
1N6004A	1.9950	RFQ	6506	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6004		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 9.1 V				15 v	42欧姆
JANS1N6319D	350.3400	RFQ	4265	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6319		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
1N5348B/TR12	2.6850	RFQ	3929	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8 V				11 V	2.5欧姆
1月1N978C-1	5.1900	RFQ	4121	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
1N5751C	3.7200	RFQ	2929	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5751		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					900 mv @ 10 ma		100 na @ 30 V				43 V	150欧姆
Jan1n3323b	-	RFQ	4509	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3323		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 20.6 V				27 V	2.8欧姆
CD5358B	5.0274	RFQ	8079	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5358B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 NA @ 16.7 V				22 v	3.5欧姆
JANTXV1N3343RB	-	RFQ	7932	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 91.2 V				120 v	40欧姆
JANTXV1N4625UR-1	12.6000	RFQ	6314	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4625		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
JAN1N6487CUS	-	RFQ	2856	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
1N5940E3/TR13	-	RFQ	2749	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5940		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
JANS1N4103CUR-1	97.9650	RFQ	9138	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
1n985a	2.0700	RFQ	9025	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N985		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 76 V				100 v	500欧姆
1N970B/TR	2.0083	RFQ	8705	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N970B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	33欧姆
SMBG5387A/TR13	2.2200	RFQ	8209	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5387		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 137 V				190 v	450欧姆
S4240T	57.8550	RFQ	6006	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	S4240	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	125a	-
APT2X31D20J	27.7100	RFQ	3920	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X31	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	200 v	30a	1.3 V @ 30 A	24 ns	250 µA @ 200 V
1N2983RB	-	RFQ	3810	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2983		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 14 V				19 v	4欧姆
Jan1n6344d	49.5300	RFQ	5948	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6344D	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V				68 v	155欧姆
MX1N3312RD	4.0000	RFQ	4401	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-MX1N3312RD	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL5232	2.8650	RFQ	8609	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5232		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	11欧姆
1 PMT5937E3/TR13	0.7350	RFQ	8409	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
JANTXV1N5526DUR-1	61.9050	RFQ	4480	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5526		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANS1N5417US	71.2650	RFQ	2763	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N6844U3	147.4200	RFQ	2394	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/679	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6844	肖特基		U3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		900 mv @ 15 A		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	15a	600pf @ 5V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²