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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比条件	q @ vr，f
JANTX1N3825C-1	21.9600	RFQ	9222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3825		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
JANTXV1N4248	-	RFQ	2319	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	大部分	在sic中停产			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
CDLL5522B/TR	6.3175	RFQ	4388	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5522B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V						4.7 v	22欧姆
Jan1n4576aur-1/tr	8.2950	RFQ	3306	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4576AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	50欧姆
R30760	49.4700	RFQ	2756	微芯片技术	R307	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R30760	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.1 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	85a	-
Jan1n4466us	10.4550	RFQ	4624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V						11 V	6欧姆
JANTX1N4574A-1/TR	30.3150	RFQ	6318	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4574A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	100欧姆
MBR40100PTE3/TU	1.2800	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	MBR40100	肖特基		TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	100 v	40a				175°c （最大）
1N5923AP/TR8	1.8600	RFQ	5003	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5923		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V						8.2 v	3.5欧姆
JANTX1N3825CUR-1/TR	36.2292	RFQ	6530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3825CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
1N4133ur/tr	3.9450	RFQ	3582	微芯片技术	MIL-STD-750	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N4133ur/tr	Ear99	8541.10.0050	249					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 66.12 V						87 v	1000欧姆
UPS120EE3/TR7	0.5000	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS120	肖特基		PowerMite 1（DO216-AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		530 MV @ 1 A		10 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
JANTX1N4982DUS/TR	36.3090	RFQ	3673	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4982DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 76 V						100 v	110欧姆
JANTXV1N5526B-1	9.1200	RFQ	5723	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5526		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V						6.8 v	30欧姆
BZV55C36/TR	2.8994	RFQ	8910	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-BZV55C36/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 25.2 V						36 V
JANS1N4958US/TR	107.9502	RFQ	9298	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4958US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V						10 v	2欧姆
1 PMT4118/TR13	0.9600	RFQ	5809	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.45 V						27 V	150欧姆
CDLL4477	11.3550	RFQ	5495	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4477		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 NA @ 26.4 V						33 V	25欧姆
Jan1n4620ur-1/tr	6.9160	RFQ	5105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4620UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V						3.3 v	1650年
Jan1n4987us	13.2600	RFQ	6103	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4987		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 121.6 V						160 v	350欧姆
JANTXV1N6857UR-1	-	RFQ	2654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		16 V		750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
CD4135	1.3699	RFQ	5754	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4135	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		10 na @ 76 V						100 v	1500欧姆
JAN1N3027B-1	7.7250	RFQ	6278	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3027		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V						20 v	22欧姆
KVX2152-23-0/TR	3.5400	RFQ	1564年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-KVX2152-23-0/tr	Ear99	8541.10.0080	1,000										1.3pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v			-	600 @ 4V，50MHz
JANS1N4581A-1	142.3350	RFQ	4412	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
JANTX1N4969US/TR	8.9243	RFQ	2732	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4969US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V						30 V	8欧姆
JANS1N5415US	70.5900	RFQ	5174	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N4101-1/TR	31.6700	RFQ	6696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4101-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V						8.2 v	200欧姆
CDLL5944D	11.7300	RFQ	4884	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5944		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V						62 v	100欧姆
JAN1N6340CUS/TR	63.8550	RFQ	3704	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6340CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 na @ 36 V						47 V	75欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²