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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n3018d-1/tr	21.8253	RFQ	3667	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3018D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				8.2 v	4.5欧姆
JANTXV1N649UR-1/TR	-	RFQ	1097	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N649UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
JANTX1N3007RB	-	RFQ	7598	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 83.6 V				110 v	55欧姆
APT30D40BCTG	4.8000	RFQ	8546	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT30	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	30a	1.5 V @ 30 A	32 ns	250 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C
CDLL5278B/TR	2.9526	RFQ	8241	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5278B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 123 V				170 v	1900欧姆
JANTXV1N4112C-1	23.1600	RFQ	5712	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4112		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
1N4447	1.1850	RFQ	1658年	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4447	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N4447MS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1 V @ 20 ma	4 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜150°C	200mA	-
CDLL4700	3.3000	RFQ	1094	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4700		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.8 V				13 V
1 PMT5936AE3/TR7	0.7350	RFQ	2288	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
JANTX1N4578AR-1/TR	22.3050	RFQ	7631	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4578AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	50欧姆
CDLL5947C	7.8450	RFQ	2830	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5947		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 v	160欧姆
JANTXV1N4623CUR-1	30.5400	RFQ	2162	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4623		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
JANTX1N6486D	-	RFQ	3810	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
JANS1N6640US	38.1000	RFQ	1048	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/609	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d		标准		D-5D	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1 V @ 200 MA	4 ns		-65°C〜175°C	300mA	-
JANTXV1N5711UBD/TR	120.7350	RFQ	7207	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-				150-JANTXV1N5711UBD/TR			100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	50 V		1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C
1N3174A	216.8850	RFQ	9692	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3174	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	240a	-
1N3208	65.8800	RFQ	3200	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3208	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3208MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		1.19 V @ 90 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	40a	-
1N1347B	45.3600	RFQ	6931	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1347	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	16a	-
APT60S20SG/TR	5.4000	RFQ	6673	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT60S20	肖特基		d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	400	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		900 mv @ 60 a	55 ns	1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C	75a	-
R42120T	59.8350	RFQ	1575年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	R42120	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	125a	-
APTDF400KK170G	212.9600	RFQ	7321	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	LP4	APTDF400	标准		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	1700 v	480a	2.5 V @ 400 A	572 ns	750 µA @ 1700 V
MSASC150H45L	-	RFQ	3948	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	100
JAN1N6940UTK3AS	-	RFQ	2960	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		15 v		500 mv @ 150 A		5 ma @ 15 V	-65°C〜175°C	150a
1N5822	15.0400	RFQ	100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/620	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5822	肖特基		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5822MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		500 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N4454-1	0.9600	RFQ	3073	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4454	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTXV1N4617DUR-1	38.2050	RFQ	6108	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				2.4 v	1400欧姆
1N3166R	201.6150	RFQ	6865	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3166	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3166RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	240a	-
JANTX1N4245	4.7250	RFQ	2281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4245	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
CDLL5533B	6.4800	RFQ	2954	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5533		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
Jan1n2974b	-	RFQ	6290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²