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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
LSM845GE3/TR13	0.9900	RFQ	4637	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	LSM845	肖特基		do-215ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		520 mv @ 8 a		2 ma @ 45 V	-55°C〜150°C	8a	-
JANTX1N6770	-	RFQ	2591	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 120 V	-	8a	150pf @ 5V，1MHz
JAN1N4129CUR-1	22.3200	RFQ	2179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4129			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V				62 v	500欧姆
Jan1n757aur-1	4.4400	RFQ	2291	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N757		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
JANTX1N6772R	-	RFQ	7026	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.6 V @ 8 A	60 ns	10 µA @ 320 V	-	8a	200pf @ 5V，1MHz
JANTX1N4475C	26.6400	RFQ	1385	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4475		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
1 PMT5926C/TR13	2.7600	RFQ	8245	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
CDLL4766A	101.7900	RFQ	3835	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4766		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 v	350欧姆
JANTX1N5533DUR-1/TR	42.0014	RFQ	3708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5533DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
1 PMT5930C/TR7	2.7600	RFQ	5759	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
SMBJ5941C/TR13	2.0850	RFQ	5821	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5941		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
JANTX1N5531B-1/TR	5.5328	RFQ	4800	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-204AH（DO-35）（DO-35）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5531B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				11 V	80欧姆
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SMBJ5943A/TR13	1.5600	RFQ	1672年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5943		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
SMBJ5370C/TR13	2.1900	RFQ	6630	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5370		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
JANTXV1N6640	10.7700	RFQ	8562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/609	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	JANTXV1N6640MS	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JANTX1N962DUR-1/TR	17.3964	RFQ	5303	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N962DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	9.5欧姆
1N3039BUR-1	15.3000	RFQ	5404	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3039		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
Jan1n4148ubca	26.3700	RFQ	1344	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	75 v	200mA	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C
1N4626ur	4.3200	RFQ	99	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4626		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				5.6 v	1400欧姆
5819SMJ/TR13	1.1700	RFQ	3953	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	5819	肖特基		do-214aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		550 mv @ 1 a		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
1 PMT4107C/TR13	1.2450	RFQ	6928	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.87 V				13 V	200欧姆
1N5340AE3/TR8	2.6250	RFQ	7710	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
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1N4454UR-1	2.6400	RFQ	96	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N4454	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C 〜175°C	200mA	-
Jan1n3032bur-1	12.7350	RFQ	8467	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3032		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1N4583-1	8.9400	RFQ	5947	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4583		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANTX1N4118-1	5.3100	RFQ	5253	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4118		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
CDLL4463	11.3550	RFQ	6489	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4463		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²