RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比条件	q @ vr，f
JAN1N3027B-1	7.7250	RFQ	6278	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3027		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V						20 v	22欧姆
KVX2152-23-0/TR	3.5400	RFQ	1564年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-KVX2152-23-0/tr	Ear99	8541.10.0080	1,000										1.3pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v			-	600 @ 4V，50MHz
JANS1N4581A-1	142.3350	RFQ	4412	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
JANTX1N4969US/TR	8.9243	RFQ	2732	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4969US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V						30 V	8欧姆
JANS1N5415US	70.5900	RFQ	5174	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N4101-1/TR	31.6700	RFQ	6696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4101-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V						8.2 v	200欧姆
CDLL5944D	11.7300	RFQ	4884	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5944		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V						62 v	100欧姆
JAN1N6340CUS/TR	63.8550	RFQ	3704	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6340CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 na @ 36 V						47 V	75欧姆
CDLL5920B	3.9300	RFQ	2715	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5920		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	2欧姆
JANTX1N968C-1/TR	5.7722	RFQ	3126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N968C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 15 V						20 v	25欧姆
JANS1N6620U	108.4800	RFQ	9508	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.6 V @ 2 A	45 ns		-65°C〜150°C	1.2a	-
S3540	36.6600	RFQ	8152	微芯片技术	S35	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S354	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.25 V @ 200 A	5 µs	25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
Jan1n6325us	15.9300	RFQ	1981	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6325		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8.5 V						11 V	7欧姆
1N3311b	49.8400	RFQ	9062	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3311		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.1 V						12 v	1欧姆
JANTX1N983DUR-1/TR	17.3964	RFQ	2133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N983		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N983DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V						82 v	330欧姆
Jan1n4616ur-1/tr	5.9451	RFQ	5619	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4616UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						2.2 v	1300欧姆
1N6015A	1.9950	RFQ	4900	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6015		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 27 V						43 V	180欧姆
UES2603	77.6250	RFQ	1690年	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	UES2603	标准		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响	2266-US2603	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		930 MV @ 15 A	35 ns	20 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	30a	-
JANTX1N4130C-1	13.5750	RFQ	9824	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4130		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V						68 v	700欧姆
CDLL5230B/TR	2.7132	RFQ	2783	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5230B/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V						4.7 v	19欧姆
1N4733333AUR/TR	3.2319	RFQ	4041	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4733333AR/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						5.1 v	7欧姆
JANTX1N6858-1	-	RFQ	5739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1 V @ 35 MA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	75mA	4.5pf @ 0v，1MHz
CD5525C	-	RFQ	2541	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5525C	Ear99	8541.10.0050	205					1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V						6.2 v	30欧姆
JANTXV1N6638US	10.2750	RFQ	1250	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		125 v		1.1 V @ 200 ma	4.5 ns		-65°C〜175°C	300mA	-
1N3902	48.5400	RFQ	3045	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3902	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		300 v		1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
JAN1N5526C-1	14.1300	RFQ	1436年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5526		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V						6.8 v	30欧姆
Jan1n3018d-1/tr	21.8253	RFQ	3667	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3018D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V						8.2 v	4.5欧姆
JANTXV1N649UR-1/TR	-	RFQ	1097	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N649UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
JANTX1N3007RB	-	RFQ	7598	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 83.6 V						110 v	55欧姆
APT30D40BCTG	4.8000	RFQ	8546	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT30	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	30a	1.5 V @ 30 A	32 ns	250 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²