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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
SMBJ5937B/TR13	1.5600	RFQ	7487	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5937		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
UES702R	58.9950	RFQ	7186	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UES702	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	950 MV @ 25 A	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	25a	-
1N4240	53.5950	RFQ	1388	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N4240	Ear99	8541.10.0050	1									5 v	0.68欧姆
1 PMT5952A/TR13	2.2200	RFQ	8748	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V				130 v	450欧姆
1月1N4619-1	3.7500	RFQ	4922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4619		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
JANTX1N747A-1	2.2800	RFQ	1200	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N747		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	22欧姆
1月1N3070-1	-	RFQ	8168	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2266-JAN1N3070-1	Ear99	8541.10.0070	1
JANTX1N5814R	-	RFQ	8492	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	在sic中停产			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
1N1203BR	34.7100	RFQ	9658	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1203	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	12a	-
1N3006A	36.9900	RFQ	6412	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3006		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V				105 v	45欧姆
1N5919A	3.0300	RFQ	1606	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5919		1.19 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
SMBJ5930A/TR13	1.5600	RFQ	2802	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5930		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
JANTXV1N3912AR	-	RFQ	4742	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.4 V @ 50 A	150 ns		-65°C〜150°C	50a	-
1 PMT4101C/TR13	1.2450	RFQ	9276	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.24 V				8.2 v	200欧姆
JANTXV1N2999RB	-	RFQ	7598	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 42.6 V				56 v	16欧姆
SMBJ5930CE3/TR13	1.3350	RFQ	1639年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5930		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
JANTX1N4372DUR-1/TR	17.1969	RFQ	5880	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4372DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
JANTX1N4990DUS/TR	30.9000	RFQ	5238	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4990DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
JANTX1N6315US	20.9250	RFQ	5945	微芯片技术	-	大部分	积极的									-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5535BUR-1	6.2700	RFQ	1505	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5535		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
1 PMT5941C/TR13	2.7600	RFQ	4203	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
JANS1N4465/tr	78.4202	RFQ	3935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4465/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
JANTX1N4985/TR	12.5153	RFQ	5215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4985/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 98.8 V				130 v	190欧姆
jankca1n4131d	-	RFQ	5073	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Jankca1n4131d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
JANTXV1N3826A-1	-	RFQ	7678	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N4458R	40.3950	RFQ	6447	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N4458	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	15a	-
UES806	76.2600	RFQ	7961	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UES806	标准		do-5	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 50 A	50 ns	70 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	50a	-
jankcc1n6636	-	RFQ	4061	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANKCC1N6636	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V				4.7 v	2欧姆
Jan1n3045bur-1/tr	11.4247	RFQ	9841	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3045BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
JANTXV1N4476DUS/TR	56.5650	RFQ	8439	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4476DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V				30 V	20欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²