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JANS1N4108-1/TR | 31.6700 | ![]() | 5952 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4108-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 10.7 V | 14 V | 200欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N3306B | - | ![]() | 5890 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 125 µA @ 5 V | 7.5 v | 0.3欧姆 | |||||||||||
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![]() | 1月1N984DUR-1 | 14.2500 | ![]() | 3787 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N984 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 69 V | 91 v | 400欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n4125-1/tr | 3.7772 | ![]() | 7992 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4125-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 35.8 V | 47 V | 250欧姆 | ||||||||||
![]() | LSM535J/TR13 | 1.1550 | ![]() | 7134 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | LSM535 | 肖特基 | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 520 mv @ 5 a | 2 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||
![]() | JANTXV1N3041CUR-1 | 46.1250 | ![]() | 4269 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3041 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 v | 175欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n3350rb | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 152 V | 200 v | 100欧姆 | |||||||||||
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![]() | 1N3047B-1/TR | 7.4214 | ![]() | 3312 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115N | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-13 | 1N3047 | 1 w | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N3047B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 10 µA @ 98.8 V | 130 v | 700欧姆 | |||||||||
![]() | 1N4760APE3/TR8 | 0.9450 | ![]() | 8499 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4760 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 51.7 V | 68 v | 150欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N752CUR-1/TR | 9.8021 | ![]() | 2392 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N752CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 11欧姆 | ||||||||||
1N5254A | 4.2300 | ![]() | 5416 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5254 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N2972B | 36.9900 | ![]() | 6125 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N2972 | 10 W | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 v | 1.5欧姆 | |||||||||
JANTX1N4996CUS | - | ![]() | 7920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 297 V | 390 v | 1800欧姆 | ||||||||||||
1N6621U/TR | 13.2300 | ![]() | 7842 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准,反极性 | a,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-1N6621U/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 440 v | 1.4 V @ 1.2 A | 45 ns | 500 NA @ 440 V | -65°C〜150°C | 1.2a | - | ||||||||||
Jan1n4963d | 18.6750 | ![]() | 6789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4963 | 5 w | E,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 3.5欧姆 | ||||||||||
CDLL5526 | 6.4800 | ![]() | 2976 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5526 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.5 V | 6.8 v | 30欧姆 | ||||||||||
![]() | 1月1N945BUR-1 | - | ![]() | 9049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/157 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N758CUR-1/TR | 9.8021 | ![]() | 3971 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N758CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 |
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