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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTX1N4615-1/TR Microchip Technology JANTX1N4615-1/TR 4.7747
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4615-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2.5 µA @ 1 V 2 v 1.25欧姆
SMBG5373AE3/TR13 Microchip Technology SMBG5373AE3/TR13 1.1250
RFQ
ECAD 2341 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5373 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 49 V 68 v 44欧姆
JANS1N4621UR-1/TR Microchip Technology JANS1N4621UR-1/TR 64.5004
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TA) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4621UR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3.5 µA @ 2 V 3.6 v 1.7欧姆
JANTX1N6335CUS/TR Microchip Technology JANTX1N6335CUS/TR 39.9450
RFQ
ECAD 1295 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 150-JANTX1N6335CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 na @ 23 V 30 V 32欧姆
JANS1N6642US Microchip Technology JANS1N6642US 16.7600
RFQ
ECAD 3398 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 D,平方米 标准 D-5D - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N6642US Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 75 v 1.2 V @ 100 ma 5 ns 500 NA @ 75 V -65°C〜175°C 300mA 5pf @ 0v,1MHz
JANS1N4130-1/TR Microchip Technology JANS1N4130-1/TR 31.6700
RFQ
ECAD 7406 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4130-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
1N2810B Microchip Technology 1N2810B 94.8900
RFQ
ECAD 2902 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2810 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 1欧姆
JANTX1N3004B Microchip Technology JANTX1N3004B -
RFQ
ECAD 3666 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W DO-213AA(DO-4) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 69.2 V 91 v 35欧姆
JANTXV1N4109UR-1 Microchip Technology JANTXV1N4109UR-1 11.5950
RFQ
ECAD 7755 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4109 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 11.4 V 15 v 100欧姆
JANS1N4133CUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4133CUR-1/TR 91.5802
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4133CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 66.2 V 87 v 1欧姆
JANS1N4108-1/TR Microchip Technology JANS1N4108-1/TR 31.6700
RFQ
ECAD 5952 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4108-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 10.7 V 14 V 200欧姆
JANTXV1N3306B Microchip Technology JANTXV1N3306B -
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 125 µA @ 5 V 7.5 v 0.3欧姆
1N5538BUR-1/TR Microchip Technology 1N5538BUR-1/TR 5.9052
RFQ
ECAD 1429 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5538BUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 16.2 V 18 V 100欧姆
JAN1N984DUR-1 Microchip Technology 1月1N984DUR-1 14.2500
RFQ
ECAD 3787 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N984 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 69 V 91 v 400欧姆
JAN1N4125-1/TR Microchip Technology Jan1n4125-1/tr 3.7772
RFQ
ECAD 7992 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4125-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 35.8 V 47 V 250欧姆
LSM535J/TR13 Microchip Technology LSM535J/TR13 1.1550
RFQ
ECAD 7134 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC LSM535 肖特基 do-214ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 520 mv @ 5 a 2 ma @ 35 V -55°C〜150°C 5a -
JANTXV1N3041CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3041CUR-1 46.1250
RFQ
ECAD 4269 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3041 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 56 V 75 v 175欧姆
JAN1N3350RB Microchip Technology Jan1n3350rb -
RFQ
ECAD 3217 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 152 V 200 v 100欧姆
1N5922APE3/TR12 Microchip Technology 1N5922APE3/TR12 0.9150
RFQ
ECAD 5532 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5922 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 6 V 7.5 v 3欧姆
1N3047B-1/TR Microchip Technology 1N3047B-1/TR 7.4214
RFQ
ECAD 3312 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115N 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-13 1N3047 1 w DO-13(do-202AA) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N3047B-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 10 µA @ 98.8 V 130 v 700欧姆
1N4760APE3/TR8 Microchip Technology 1N4760APE3/TR8 0.9450
RFQ
ECAD 8499 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4760 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
JANTX1N752CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N752CUR-1/TR 9.8021
RFQ
ECAD 2392 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N752CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2.5 V 5.6 v 11欧姆
1N5254A Microchip Technology 1N5254A 4.2300
RFQ
ECAD 5416 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5254 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 21 V 27 V 41欧姆
1N2972B Microchip Technology 1N2972B 36.9900
RFQ
ECAD 6125 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N2972 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 50 µA @ 6.2 V 8.2 v 1.5欧姆
JANTX1N4996CUS Microchip Technology JANTX1N4996CUS -
RFQ
ECAD 7920 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 297 V 390 v 1800欧姆
1N6621U/TR Microchip Technology 1N6621U/TR 13.2300
RFQ
ECAD 7842 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 标准,反极性 a,平方米 - 到达不受影响 150-1N6621U/TR Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 440 v 1.4 V @ 1.2 A 45 ns 500 NA @ 440 V -65°C〜150°C 1.2a -
JAN1N4963D Microchip Technology Jan1n4963d 18.6750
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4963 5 w E,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 12.2 V 16 V 3.5欧姆
CDLL5526 Microchip Technology CDLL5526 6.4800
RFQ
ECAD 2976 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±20% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5526 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.5 V 6.8 v 30欧姆
JAN1N945BUR-1 Microchip Technology 1月1N945BUR-1 -
RFQ
ECAD 9049 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/157 大部分 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
JANTX1N758CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N758CUR-1/TR 9.8021
RFQ
ECAD 3971 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N758CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 8 V 10 v 17欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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