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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
SMBJ5386C/TR13	2.1900	RFQ	9493	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5386		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 130 V				180 v	430欧姆
1N4583-1	8.9400	RFQ	5947	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4583		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANTX1N2988RB	-	RFQ	8535	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 20.6 V				27 V	7欧姆
1N4960DUS/TR	32.5800	RFQ	1392	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-1N4960DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	2.5欧姆
JANTX1N5533DUR-1/TR	42.0014	RFQ	3708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5533DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
1 PMT4107C/TR13	1.2450	RFQ	6928	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.87 V				13 V	200欧姆
1 PMT5930C/TR7	2.7600	RFQ	5759	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1月1N976CUR-1/TR	10.2410	RFQ	8301	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N976CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
JANTX1N5809UR	20.2800	RFQ	6343	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5809	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
1月1N990B-1	-	RFQ	3491	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V				160 v	1700欧姆
Jan1n3032bur-1	12.7350	RFQ	8467	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3032		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1月1N4974	5.8350	RFQ	5975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4974		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆
1月1N975BUR-1/TR	4.0831	RFQ	9693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N975BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V				39 v	80欧姆
1N4454UR-1	2.6400	RFQ	96	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N4454	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C 〜175°C	200mA	-
1N4781	31.7100	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4781		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	100欧姆
JANTX1N937BUR-1	-	RFQ	2032	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
Jan1n4131-1/tr	3.7772	RFQ	6651	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4131-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
JANTXV1N4989D	23.4600	RFQ	8413	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4989D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆
CDLL4899	116.7900	RFQ	6661	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4899		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	400欧姆
CDLL5937D	11.7300	RFQ	6543	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5937		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
1月1N3821A-1	6.7650	RFQ	6819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3821		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1N5194	8.1000	RFQ	4902	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5194	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	70 v	1 V @ 100 ma		25 NA @ 70 V	-65°C〜175°C	200mA	-
1 PMT5941C/TR13	2.7600	RFQ	4203	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
1N4957	6.6150	RFQ	4305	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4957		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
JANTX1N963D-1	6.9000	RFQ	4343	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N963		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
1月1N1124A	-	RFQ	3819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	2.2 V @ 10 A		5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C		-
JANTXV1N3020D-1	38.0400	RFQ	4132	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3020		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
SMBJ5380B/TR13	1.6650	RFQ	1527年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5380		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 86.4 V				120 v	170欧姆
1N3319BE3	49.5600	RFQ	2784	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3319		50 W	DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N3319BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 15.2 V				20 v	2.4欧姆
JANTX1N4615-1/TR	4.7747	RFQ	6382	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4615-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1.25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²