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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N825E3/tr	5.6100	RFQ	9188	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N825E3/tr	Ear99	8541.10.0050	169				2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTX1N4372C-1	22.3950	RFQ	8490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
1N5998D	5.1900	RFQ	7979	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5998		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.5 V				8.2 v	7欧姆
Janhca1n4108	13.2734	RFQ	7271	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4108	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 10.65 V				14 V	200欧姆
CD5344B	5.0274	RFQ	1191	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5344B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	10 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
Janhca1n4105d	-	RFQ	1551年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4105d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 8.44 V				11 V	200欧姆
1N3650	31.3350	RFQ	6448	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	2.2 V @ 10 A	5 µA @ 1000 V	-	3.3a	-
JANTXV1N3023DUR-1	56.9100	RFQ	7126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3023		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
1N4762AUR	3.4650	RFQ	3492	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4762		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
JANTX1N5524DUR-1/TR	42.0014	RFQ	5705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5524DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
1N754AR-1	3.0300	RFQ	2223	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N754		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
1N4618UR-1	3.4950	RFQ	3081	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANTXV1N975DUR-1	24.2250	RFQ	1812年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N975		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 30 V				39 v	80欧姆
JANTX1N5528B-1/TR	5.5328	RFQ	2397	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5528B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
CDLL5925C	7.8450	RFQ	5285	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5925		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
1N5348BE3/TR13	0.9900	RFQ	7529	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A	5 µA @ 8 V				11 V	2.5欧姆
1N5251	2.2650	RFQ	3953	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5251	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 16.2 V				22 v	29欧姆
CDLL4583A	18.4950	RFQ	5011	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa	CDLL4583		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V					25欧姆
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CDLL5545	6.4800	RFQ	4721	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5545		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 24 V				30 V	100欧姆
JANTX1N44466US/TR	14.5050	RFQ	7983	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N4466US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
1N5254BUR-1/TR	3.0900	RFQ	3930	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
JANTXV1N3026D-1	-	RFQ	3661	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N944	33.1350	RFQ	4354	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N944		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
CD5364	5.6700	RFQ	5737	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	-			到达不受影响	150-CD5364	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	500 NA @ 25.1 V				33 V	10欧姆
JANTX1N6332CUS/TR	34.6201	RFQ	5385	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6332CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A	50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
1n823ur-1/tr	4.9500	RFQ	6714	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N823UR-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
CDLL3032B	15.3000	RFQ	1680年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3032		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1 PMT4117CE3/TR7	0.4950	RFQ	3069	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
SMAJ4751AE3/TR13	0.6450	RFQ	9401	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4751		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²