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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL4583A	18.4950	RFQ	5011	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa	CDLL4583		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					25欧姆
MSASC25W60K/TR	-	RFQ	5386	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC25W60K/TR			100
CDLL5545	6.4800	RFQ	4721	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5545		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 24 V				30 V	100欧姆
JANTX1N44466US/TR	14.5050	RFQ	7983	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N4466US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
1N5254BUR-1/TR	3.0900	RFQ	3930	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
JANTXV1N3026D-1	-	RFQ	3661	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N944	33.1350	RFQ	4354	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N944		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
CD5364	5.6700	RFQ	5737	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	-			到达不受影响	150-CD5364	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 25.1 V				33 V	10欧姆
JANTX1N6332CUS/TR	34.6201	RFQ	5385	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6332CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
1n823ur-1/tr	4.9500	RFQ	6714	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N823UR-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
CDLL3032B	15.3000	RFQ	1680年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3032		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1 PMT4117CE3/TR7	0.4950	RFQ	3069	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
SMAJ4751AE3/TR13	0.6450	RFQ	9401	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4751		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
60HQ100	140.8500	RFQ	5013	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响	60HQ100MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	890 mv @ 60 a			-	60a	-
JANTX1N4106D-1	15.3300	RFQ	2580	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4106		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆
JANTX1N4131-1	-	RFQ	9462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
1N4754AP/TR8	1.8900	RFQ	3499	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4754		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
1 PMT4626/TR13	0.4950	RFQ	8861	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
1N5369AE3/TR12	2.6250	RFQ	8139	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5369		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V				51 v	27欧姆
1 PMT5927BE3/TR13	-	RFQ	5061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
JANTX1N4614DUR-1/TR	-	RFQ	6486	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JANTX1N4614DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
JANS1N4473US/TR	77.0102	RFQ	9841	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4473US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 17.6 V				22 v	14欧姆
Jan1n4483dus/tr	34.7550	RFQ	3158	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N444483DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
JANTXV1N6774	-	RFQ	5959	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N555520BUR-1/TR	13.2202	RFQ	2570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N555520BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
CDLL5519A/TR	5.9052	RFQ	8999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5519A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v	24欧姆
1N3306RB	49.3800	RFQ	1705年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3306		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		125 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
1N5939A	3.4050	RFQ	2952	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5939		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
JANTX1N823AUR-1/TR	6.6600	RFQ	6395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JANTX1N823AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	118					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
JAN1N5543B-1	5.5200	RFQ	1124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5543		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²