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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1月1N2976b	-	RFQ	7245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2976		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	3欧姆
JANTXV1N3017DUR-1	57.6450	RFQ	6155	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3017		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
R35140	36.6600	RFQ	2753	微芯片技术	R35	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R35140	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANS1N4615UR-1/TR	64.5004	RFQ	4389	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4615UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
JANTXV1N5537BUR-1/TR	17.2900	RFQ	5664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5537BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
1N5251A-1	2.0700	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5251A-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 16.2 V				22 v	29欧姆
1月1N4944	6.3000	RFQ	9983	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/360	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4944	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N958B-1E3	2.5200	RFQ	6370	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		75 µA @ 5.7 V				7.5 v	5.5欧姆
JANTXV1N2805RB	-	RFQ	4996	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2805		50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		100 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
JANTX1N4109-1/TR	4.2294	RFQ	6400	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4109-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
CDLL5531B/TR	5.9052	RFQ	5871	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5531B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				11 V	80欧姆
JANTXV1N1184R	63.8550	RFQ	9712	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1184	标准，反极性		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.4 V @ 110 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	35a	-
JANS1N6633US/TR	-	RFQ	8845	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6633US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V				3.6 v	2.5欧姆
1 PMT5925BE3/TR7	0.7350	RFQ	8310	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
1N3007A	36.9900	RFQ	2857	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3007		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 83.6 V				110 v	55欧姆
1N3611E3/tr	5.0850	RFQ	1223	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3611E3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
CD972B	1.5029	RFQ	9276	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD972B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
S3540pf	60.2100	RFQ	3718	微芯片技术	-	大部分	积极的			按适合	DO-208AA	S3540	标准		do-21	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	35a	-
JANTXV1N5545BUR-1/TR	17.2900	RFQ	1339	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5545BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
1 PMT4135CE3/TR7	0.4950	RFQ	3647	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4135		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	250欧姆
1N4568AR-1	12.3450	RFQ	7922	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4568		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					200欧姆
CDLL4614E3/tr	3.2718	RFQ	6566	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4614E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
JANTXV1N4957D	19.1100	RFQ	7937	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4957D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
JANTX1N4370C-1	11.1600	RFQ	5780	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4370		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANS1N4986DUS	527.9550	RFQ	4739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANS1N4986DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 114 V				150 v	330欧姆
JANTXV1N4625C-1/TR	13.2335	RFQ	1126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4625C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
JANTXV1N3031D-1	36.2100	RFQ	9265	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3031		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
HSM150G/TR13	1.6950	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	HSM150	肖特基		DO-215AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	690 mv @ 1 a		100 µA @ 50 V	-55°C 〜175°C	1a	-
CDLL6024	2.7150	RFQ	1156	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL6024				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N5551US	15.9150	RFQ	3095	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5551	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²