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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL5227C/TR	6.9150	RFQ	3435	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5227C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
JANTXV1N6630US	26.3700	RFQ	4837	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6630	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.4 V @ 1.4 A	50 ns	2 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
1N5968D	162.3000	RFQ	4400	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N5968D	Ear99	8541.10.0050	1
1N821UR-1/tr	4.4100	RFQ	6948	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N821UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
Jan1n6331dus	38.2200	RFQ	8168	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6331DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
CDLL4735	3.4650	RFQ	8204	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4735			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
SMAJ5923BE3/TR13	0.6450	RFQ	5046	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5923		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V				8.2 v	3.5欧姆
1n6023ur	3.5850	RFQ	2379	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6023				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4989US/TR	21.3600	RFQ	1508	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4989US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆
1月1N5623	7.7100	RFQ	7119	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5623	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.6 V @ 3 A	500 ns	500 NA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
JAN1N6872UTK2AS/TR	364.6950	RFQ	2134	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-JAN1N6872UTK2AS/TR			100
1月1N2992B	-	RFQ	6851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 29.7 V				39 v	11欧姆
JANTX1N4572A-1	8.5500	RFQ	9713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4572		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				3 V	100欧姆
CDLL5242B	3.2100	RFQ	112	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5242		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	30欧姆
CDLL5238B/TR	2.7132	RFQ	4067	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5238B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 v	8欧姆
Jan1n5529d-1	17.6700	RFQ	3120	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5529		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
UZ5138	32.2650	RFQ	3779	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5138	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 289 V				380 v	1500欧姆
JANS1N4132C-1/TR	63.1902	RFQ	9541	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4132C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
1N5279A	3.1200	RFQ	4471	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5279		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
1N1346C	45.3600	RFQ	4508	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1346	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	16a	-
SMBJ4735/TR13	0.8700	RFQ	8966	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4735		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
CD5349B	5.0274	RFQ	3128	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5349B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 9.1 V				12 v	2.5欧姆
1 PMT4135C/TR13	1.2450	RFQ	9753	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4135		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	250欧姆
30HFU-300	93.8250	RFQ	8131	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-30HFU-300			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v				-65°C〜175°C	-	-
JANTX1N4463D	28.7550	RFQ	1193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4463		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
CD750	1.6950	RFQ	9975	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD750	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
1N3290AR	102.2400	RFQ	3484	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N3290	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3290ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N6030B	2.7750	RFQ	4214	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6030		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V				180 v	1700欧姆
JANTXV1N6348/TR	13.1404	RFQ	5809	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6348/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V				100 v	340欧姆
JANTXV1N5418US/TR	16.2300	RFQ	3400	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5418US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²