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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4687/tr	5.5727	RFQ	1180	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4687/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V				4.3 v
CDLL5268D	8.4150	RFQ	5369	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5268D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 62 V				82 v	330欧姆
UZ5806	32.2650	RFQ	3563	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5806	Ear99	8541.10.0050	1							500 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
1N3263IL	166.6650	RFQ	5354	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N3263IL	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 200 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N4784A/TR	265.7700	RFQ	9585	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4784A/tr	Ear99	8541.10.0050	1											8.5 v	100欧姆
JANTXV1N3036C-1/TR	33.8618	RFQ	8160	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3036C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
CDLL4624C	8.0850	RFQ	5324	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4624C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
SMBJ4733/TR13	0.8700	RFQ	1548年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4733		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
CDLL5245B	2.5600	RFQ	4952	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5245		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 11 V				15 v	16欧姆
JANTX1N6355US	-	RFQ	4550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V				200 v	1800欧姆
SBR60100P	148.2150	RFQ	1180	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-SBR60100P			1
JANTXV1N6630/TR	26.9100	RFQ	9097	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准		e-pak	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6630/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		900 v		1.4 V @ 1.4 A	50 ns	2 µA @ 900 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
Jan1n3030dur -1/tr	36.2558	RFQ	1337	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N30303030DUR -1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
JANTXV1N6331C	37.5300	RFQ	3740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6331C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
JANTXV1N4967	8.3700	RFQ	4242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4967		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
JANTX1N5533C-1/TR	17.4496	RFQ	7515	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5533C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
JANTX1N4496US/TR	13.4862	RFQ	5217	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4496US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V				200 v	1.5欧姆
JANTX1N6314DUS	55.6050	RFQ	5708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6314		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
S16-4148/TR7	3.9150	RFQ	3365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	S16-4148	标准		16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	8独立	75 v	400mA（DC）	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-55°C〜150°C
JAN1N6337DUS	43.0800	RFQ	5560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	包	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6337		500兆	B，平方米	下载			到达不受影响	JAN1N6337DUSMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V				36 V	50欧姆
JANTX1N4370CUR-1/TR	20.6815	RFQ	9116	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4370CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
Jan1n1615r	66.0750	RFQ	1107	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1615	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.5 V @ 15 A		50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	15a	-
1N5230B-1/tr	2.8950	RFQ	8087	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5230B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	325					1.5 V @ 200 ma		50 µA @ 2 V				4.7 v	19欧姆
Jan1n5529bur-1	14.4600	RFQ	1305	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5529		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
CD966B	1.5029	RFQ	2530	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD966B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	17欧姆
CD978B-1/TR	-	RFQ	7108	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS978B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
JANS1N4471C	207.1050	RFQ	4539	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
JANS1N6311C	280.2750	RFQ	9871	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6311		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
JANTXV1N6351C	37.5300	RFQ	4966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6351C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
1N4131UR-1/tr	3.9400	RFQ	7162	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	249					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²