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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N746AR-1	4.7100	RFQ	6966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N746		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JAN1N6912UTK2	-	RFQ	7040	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a	1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
UZ720	22.4400	RFQ	5944	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ720	Ear99	8541.10.0050	1				5 µA @ 15.2 V				20 v	9欧姆
JANTX1N2840B	-	RFQ	2984	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2840		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 83.6 V				110 v	30欧姆
1月1N4119-1	4.1100	RFQ	1988	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4119			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 21.3 V				28 V	200欧姆
JANTX1N6312CUS	44.4750	RFQ	4126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6312		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	5 µA @ 1 V				3.3 v	27欧姆
JANTXV1N4469C	31.6350	RFQ	3739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4469		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA	50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
SMBJ5356A/TR13	1.6350	RFQ	2379	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5356		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
1N4987US	12.9600	RFQ	6046	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4987		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 121.6 V				160 v	350欧姆
UZ8815	22.4400	RFQ	1137	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8815	Ear99	8541.10.0050	1				500 NA @ 10.8 V				15 v	14欧姆
1N5225B/TR	2.5669	RFQ	5967	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5225B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	50 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
1 PMT5927CE3/TR7	0.7350	RFQ	9872	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
1N5991	1.9950	RFQ	5009	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
1N5222BUR-1	2.8650	RFQ	2045	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5222		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
CDLL5226A/TR	2.7132	RFQ	5573	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5226A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JANTX1N3026D-1	25.4550	RFQ	6792	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3026		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
JAN1N3045CUR-1	32.5950	RFQ	8755	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3045		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
1N4903/tr	159.0600	RFQ	2082	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4903/tr	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	200欧姆
JANS1N4107D-1/TR	94.7000	RFQ	4900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4107D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.9 V				13 V	200欧姆
JANTX1N4978US	9.6150	RFQ	2259	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4978		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 51.7 V				68 v	50欧姆
1N5952D	7.5450	RFQ	7757	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5952		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 98.8 V				130 v	450欧姆
JANS1N4099D-1	102.3000	RFQ	5436	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
CD4709	2.3408	RFQ	1765年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4709	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	10 na @ 18.2 V				24 V
JANS1N6311	-	RFQ	4864	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
jankca1n4109	-	RFQ	7584	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-JANKCA1N4109	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
Jan1n3823d-1/tr	19.4047	RFQ	8218	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3823D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
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JANTXV1N4626D-1	30.1500	RFQ	5898	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4626		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
SMBJ5374AE3/TR13	0.8100	RFQ	3650	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5374		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 54 V				75 v	45欧姆
JANS1N4974US	92.0400	RFQ	4834	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²