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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
DSB1A20	-	RFQ	5469	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB1A20	肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	600 mV @ 1 A		100 µA @ 20 V	-	1a	-
JANTX1N3998RA	-	RFQ	5099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 2 V				6.2 v	1.1欧姆
SBR6035	148.2150	RFQ	2755	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	35 v	600 mv @ 60 a		2 ma @ 35 V	-65°C〜150°C	60a	-
JANTXV1N4987DUS	51.1200	RFQ	5250	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4987DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 121.6 V				160 v	350欧姆
SMBJ4762A/TR13	0.8850	RFQ	9700	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4762		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
JANTXV1N6776	-	RFQ	9963	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
SMBJ5935A/TR13	1.5600	RFQ	4074	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5935		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				27 V	23欧姆
1N979B-1	3.7350	RFQ	4714	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N979B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 43 V				56 v	150欧姆
CDLL6316/tr	12.2227	RFQ	5939	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6316/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	16欧姆
1N3260	151.2750	RFQ	3204	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3260	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3260MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1月1N4247	5.8950	RFQ	6883	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4247	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
SMBJ5936C/TR13	2.0850	RFQ	8846	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5936		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1 PMT4116/TR7	0.9600	RFQ	4827	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V				24 V	150欧姆
jankca1n4123c	-	RFQ	5853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-JANKCA1N4123C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
1N474777aur	6.1800	RFQ	2798	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4747		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
JANTX1N4112-1/TR	5.3732	RFQ	3767	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4112-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
JANS1N5712UBCA	159.5850	RFQ	3869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <<200ma（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
CDLL4582A/TR	9.3900	RFQ	1017	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4582A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					25欧姆
R42100T	59.8350	RFQ	7499	微芯片技术	R42	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	R42100	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	125a	-
1N1614R	38.0550	RFQ	2342	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1614	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	15a	-
JANTXV1N5531DUR-1/TR	55.0221	RFQ	8920	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5531DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				11 V	80欧姆
SMBG5340A/TR13	2.2200	RFQ	1538年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5340		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
SMBJ5371BE3/TR13	0.8250	RFQ	1964年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5371		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 43 V				60 V	40欧姆
JANS1N4624D-1	155.7750	RFQ	3599	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
1N6882UTK4	259.3500	RFQ	8740	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6882UTK4			1
SMBJ5349B/TR13	1.6650	RFQ	6126	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5349		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V				12 v	2.5欧姆
JANTX1N3018DUR-1/TR	41.5359	RFQ	5235	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3018DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆
JAN1N3021CUR-1/TR	29.0339	RFQ	7912	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3021CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
SMAJ4735CE3/TR13	0.6450	RFQ	4861	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ473		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
JANTX1N965D-1/TR	6.4239	RFQ	6839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N965D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²