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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Janhca1n4617	12.2892	RFQ	3831	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4617	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.4 v	1400欧姆
CDLL5237C/TR	6.9150	RFQ	3974	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5237C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.2 v	8欧姆
JANTXV1N935B-1	-	RFQ	5550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
1N4575A/TR	4.2600	RFQ	4836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4575A/tr	Ear99	8541.10.0050	223					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N3019BUR-1	14.7300	RFQ	7561	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3019		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	6欧姆
CDS4148UR-1	-	RFQ	7501	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDS4148UR-1	Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N4552RB	-	RFQ	9155	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V				5.1 v	0.12欧姆
CDLL4131	3.5850	RFQ	6938	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4131		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 57 V				75 v	700欧姆
SMAJ5918E3/TR13	0.6450	RFQ	8817	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5918		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	4欧姆
CDLL749	2.8650	RFQ	4115	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL749		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
1N5923PE3/TR12	0.9150	RFQ	1675年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5923		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V				8.2 v	3.5欧姆
CDLL6341	14.6400	RFQ	4078	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL6341		500兆	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
1N2136A	74.5200	RFQ	2561	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2136A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	450 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 450 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTXV1N3157-1/TR	-	RFQ	9391	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3157-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 5.5 V				8.8 v	15欧姆
JANTXV1N4133CUR-1	28.8000	RFQ	1247	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4133		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1000欧姆
CDLL5818/tr	4.7250	RFQ	8280	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213ab，Melf		肖特基		do-213ab	下载	Rohs不合规		到达不受影响	150-CDLL5818/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	600 mV @ 1 A		100 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	1a	0.9pf @ 5V，1MHz
1N5554US/TR	10.0200	RFQ	8560	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5554	标准		D-5B	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTXV1N5518BUR-1/TR	17.2900	RFQ	5033	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5518BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	26欧姆
JANTXV1N983D-1/TR	8.5519	RFQ	9536	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N983D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
Jan1n5539bur-1	14.4600	RFQ	4492	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5539		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
CDLL4773	135.4500	RFQ	6151	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4773		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 v	200欧姆
JANTXV1N6315D	45.0600	RFQ	8933	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	20欧姆
1N2135A	74.5200	RFQ	5766	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2135A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1月1N1184R	57.6300	RFQ	8198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.4 V @ 110 A			-65°C〜175°C	35a	-
1N4752PE3/TR8	0.9150	RFQ	5615	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4752		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1月1N966DUR-1	14.2500	RFQ	5885	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N966		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	17欧姆
JANTXV1N759DUR-1	23.9550	RFQ	3115	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N759		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
Jan1n6309dus	48.9150	RFQ	8564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6309		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
SMBJ4757E3/TR13	0.4350	RFQ	3838	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4757		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆
SMBJ5342AE3/TR13	0.8100	RFQ	2723	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5342		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²