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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n3033bur-1/tr	11.4247	RFQ	3166	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3033BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
JANS1N4481US	162.0150	RFQ	6830	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
Janhca1n986b	9.8154	RFQ	3646	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n986b	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma	5 µA @ 83.6 V				110 v	750欧姆
1N5281	3.1200	RFQ	4453	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5281	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 NA @ 144 V
JANTX1N2818B	-	RFQ	8218	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2818		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 15.2 V				20 v	2.4欧姆
1N4759AG/TR	3.3300	RFQ	9255	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4759AG/TR	Ear99	8541.10.0050	285			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
1月1N964CUR-1	11.3850	RFQ	8667	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N964		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
1N5936CP/TR12	2.2800	RFQ	3700	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1N2982A	-	RFQ	4979	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2982		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
CDLL4731/TR	2.3408	RFQ	2100	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4731/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
JANS1N4107-1/TR	31.6700	RFQ	8034	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4107-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.87 V				13 V	200欧姆
JANTX1N6309/TR	11.1587	RFQ	8684	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6309/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
Jan1n5546dur-1/tr	32.1993	RFQ	4594	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5546DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
CDLL5257D/TR	8.5950	RFQ	5560	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5257D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 25 V				33 V	58欧姆
Janhca1n979d	-	RFQ	5395	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n979d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 42.6 V				56 v	150欧姆
1N975A	2.0700	RFQ	9825	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N975		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 29.7 V				39 v	80欧姆
Jan1n3034d-1/tr	26.4271	RFQ	8331	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3034D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
1 PMT5948BE3/TR7	0.7350	RFQ	3110	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 69.2 V				91 v	200欧姆
1N2844A	94.8900	RFQ	8380	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2844		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 121.6 V				160 v	80欧姆
JANTXV1N6310DUS/TR	68.6850	RFQ	3343	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6310DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A	60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N3029B-1/TR	7.4214	RFQ	8843	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3029		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3029B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
1N646	1.5750	RFQ	4086	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N646				-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
1N3173	216.8850	RFQ	6130	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3173	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3173MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	900 v	1.25 V @ 240 A	75 µA @ 900 V	-65°C 〜200°C	240a	-
1N6759/tr	82.8900	RFQ	2027	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6759/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	690 mv @ 1 a	100 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	1a	-
JANTXV1N967C-1/TR	8.0332	RFQ	4051	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N967C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 na @ 14 V				18 V	21欧姆
JANS1N4965DUS/TR	460.3500	RFQ	8748	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4965DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 15.2 V				20 v	4.5欧姆
JANTX1N4128UR-1/TR	8.5652	RFQ	1181	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4128UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
1月1N4992C	30.9450	RFQ	2530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 206 V				270 v	800欧姆
1N4752AG/TR	3.4447	RFQ	3493	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4752AG/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
CDLL5943D	11.7300	RFQ	8443	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5943		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²