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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N3049DUR-1/TR	-	RFQ	4011	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-JANTX1N3049DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 121.6 V				160 v	1100欧姆
SMBJ5357B/TR13	1.6650	RFQ	7830	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5357		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
JANTXV1N4996US/TR	-	RFQ	2465	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4996US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
S306100	39.0750	RFQ	4330	微芯片技术	S306	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S306100	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N1582	38.3850	RFQ	7279	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N1582	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTX1N6326D	39.7950	RFQ	6191	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6326D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
1N5746B/tr	2.0400	RFQ	2765	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5746b/tr	Ear99	8541.10.0050	463			900 mv @ 10 ma		100 na @ 19 V				27 V	80欧姆
UZ806	22.4400	RFQ	9778	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ806	Ear99	8541.10.0050	1
1N4135ur/tr	3.3900	RFQ	9364	微芯片技术	MIL-STD-750	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N4135ur/tr	Ear99	8541.10.0050	291			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1500欧姆
jankca1n4112d	-	RFQ	2847	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Jankca1n4112d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.67 V				18 V	100欧姆
1 PMT5949C/TR7	2.7600	RFQ	7694	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 76 V				100 v	250欧姆
JANTXV1N966CUR-1/TR	17.3166	RFQ	8539	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N966CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	17欧姆
1N4123UR-1	3.7950	RFQ	2945	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4123		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
Jan1n5189	9.4800	RFQ	6868	微芯片技术	MIL-PRF-19500/424	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5189	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	2 V @ 9 A	300 ns	2 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N6336D	350.3400	RFQ	4215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6336D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
UZ5814	32.2650	RFQ	6677	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5814	Ear99	8541.10.0050	1					20 µA @ 10.6 V				14 V	3欧姆
Jan1n3009b	-	RFQ	7643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 98.8 V				130 v	100欧姆
JANTX1N2808B	-	RFQ	2562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2808		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.7 V				10 v	0.6欧姆
Janhca1n985c	-	RFQ	9313	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n985c	Ear99	8541.10.0050	100			1.3 V @ 200 ma		5 µA @ 76 V				100 v	500欧姆
JANTXV1N7052UR-1	12.8250	RFQ	4636	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4115CUR-1	32.7450	RFQ	3515	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4115		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
1N5936P/TR12	1.8600	RFQ	1561年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
JANS1N4111DUR-1	147.2700	RFQ	9063	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆
Jan1n30303030b-1	7.6500	RFQ	9040	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3030		1 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
1N3313RA	49.3800	RFQ	4630	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3313		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				14 V	1.2欧姆
UZ5833	32.2650	RFQ	7857	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5833	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 23.7 V				33 V	10欧姆
1N4972	6.9200	RFQ	281	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4972		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 29.7 V				39 v	14欧姆
JANS1N4988C	415.7700	RFQ	1085	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4988C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
BZV55C6V8	2.9400	RFQ	8064	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C6V8			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v
1 PMT5930B/TR7	2.2200	RFQ	1553	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²