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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
JANTX1N6306	-	RFQ	2884	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	70a
JANTXV1N4980US	-	RFQ	2351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V						82 v	80欧姆
1月1N6638US	6.5700	RFQ	4756	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	do-213ab，Melf	1N6638	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v	1.1 V @ 200 ma	20 ns	500 NA @ 150 V	-65°C〜175°C	300mA	2.5pf @ 0v，1MHz
1N3045B-1/TR	7.4214	RFQ	1495	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3045		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3045b-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V						110 v	450欧姆
CDLL5267/tr	3.3516	RFQ	8783	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5267/tr	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 na @ 56 V						75 v	270欧姆
JANTX1N3026DUR-1	46.6950	RFQ	9063	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3026		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V						18 V	20欧姆
Jan1n5543b-1/tr	5.0407	RFQ	6387	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5543B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V						25 v	100欧姆
JANTX1N4134-1	5.3100	RFQ	7114	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4134		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V						91 v	1200欧姆
JANTX1N5968DUS	-	RFQ	7974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V						5.6 v	1欧姆
JANTXV1N5520C-1	23.3700	RFQ	3966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						3.9 v	22欧姆
JANTXV1N3321RB	-	RFQ	2478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		10 µA @ 18.2 V						24 V	2.6欧姆
JANS1N4974US/TR	86.0502	RFQ	8950	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4974US/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V						47 V	25欧姆
Jan1n5618us	-	RFQ	1732年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	-
UM9301F	33.1950	RFQ	8553	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜175°C		轴向				轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-UM9301F	Ear99	8541.10.0060	1		1 w							0.8pf @ 0v，100MHz	PIN-单	75V			3ohm @ 100mA，100MHz
CDLL4731	2.4450	RFQ	9190	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4731			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						4.3 v	9欧姆
SMBG5357CE3/TR13	1.4400	RFQ	5916	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5357		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V						20 v	3欧姆
S3220	49.0050	RFQ	5731	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S3220			1
UPR20E3/TR13	1.0800	RFQ	1449	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR20	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	-
1N4470US	11.4600	RFQ	9065	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4470		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4470USM	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 na @ 12.8 V						16 V	10欧姆
JANTXV1N747CUR-1/TR	19.1786	RFQ	8888	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N747CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
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CD4751A	1.8354	RFQ	3797	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4751A	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 ma		100 na @ 22.8 V						30 V	40欧姆
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JANS1N4973	80.1900	RFQ	3353	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 32.7 V						43 V	20欧姆
1N5928BP/TR8	1.8900	RFQ	8980	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5928		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V						13 V	7欧姆
JANTXV1N3827CUR-1/TR	44.1427	RFQ	7264	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3827CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V						5.6 v	5欧姆
UFS105JE3/TR13	0.9000	RFQ	2719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214BA	UFS105	标准		DO-214BA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V	950 MV @ 1 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-55°C 〜175°C	1a	-
JANTXV1N6489DUS/TR	-	RFQ	3821	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6489DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
JANS1N4113UR-1	48.9900	RFQ	6975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V						19 v	150欧姆
CD4573	10.4850	RFQ	4212	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4573	Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.4 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²