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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5545B/TR	2.8861	RFQ	1512	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5545b/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	112欧姆
JANS1N5619/TR	67.2000	RFQ	5200	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5619/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns		-65°C 〜200°C	1a	-
1N4488US	11.3550	RFQ	8827	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4488		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4488USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 72.8 V				91 v	200欧姆
JANS1N4621D-1	155.7750	RFQ	6156	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
1 PMT5936BE3/TR7	0.7350	RFQ	9130	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
LSM345J/TR13	1.9400	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM345	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	520 mv @ 3 a		1.5 ma @ 45 V	-55°C〜150°C	3a	-
JAN1N3040DUR-1/TR	36.2558	RFQ	4026	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3040DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
1N5819UR-1E3	8.9550	RFQ	7744	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5819	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5819UR-1E3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
JANS1N4130C-1	67.5450	RFQ	6995	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
JANTXV1N4620C-1/TR	13.2335	RFQ	2911	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4620C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1650年
1N2058	158.8200	RFQ	2981	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2058	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	250 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 250 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTX1N3025D-1/TR	24.4853	RFQ	3952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3025D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
Janhca1n4625	12.1695	RFQ	1738年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4625	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
JANS1N6486CUS/TR	-	RFQ	9269	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANS1N6486CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
JAN1N3828DUR-1	44.4150	RFQ	6125	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3828		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
Jan1n5519bur-1	13.5600	RFQ	1605	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5519		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
SMAJ5917BE3/TR13	0.8850	RFQ	4065	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5917		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	5欧姆
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S30640	39.0750	RFQ	7971	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S30640	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	85a	-
jankca1n5534c	-	RFQ	5165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5534C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V				14 V	100欧姆
Jan1n4475d	25.4550	RFQ	4049	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4475		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
1 PMT4111/TR7	0.9600	RFQ	7976	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.92 V				17 V	100欧姆
1N3017BUR-1	16.1100	RFQ	9472	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3017		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
JANTXV1N823-1	-	RFQ	7188	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	在sic中停产	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
1N5921AP/TR8	1.8600	RFQ	3197	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5921		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	2.5欧姆
1N5367A/TR12	2.6250	RFQ	6574	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V				43 V	20欧姆
1N5526BUR-1/TR	6.6900	RFQ	1086	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JAN1N6330DUS	38.2200	RFQ	3483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6330DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 14 V				18 V	14欧姆
1 PMT4102C/TR7	1.2450	RFQ	4836	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.61 V				8.7 v	200欧姆
SMBG5368B/TR13	2.2500	RFQ	6649	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5368		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 33.8 V				47 V	25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²