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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
SMBJ5920AE3/TR13	0.8850	RFQ	7348	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5920		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	2欧姆
CDLL975B	2.8650	RFQ	5701	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL975		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V						39 v	90欧姆
SMBJ4747/TR13	0.8700	RFQ	9536	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4747		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 15.2 V						20 v	22欧姆
JANTX1N4577A-1	8.8200	RFQ	1980	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4577		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						3 V	50欧姆
1月1N6622	-	RFQ	3179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	在sic中停产			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v	1.6 V @ 2 A	30 ns	500 NA @ 660 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
JANS1N5616US	49.9950	RFQ	3325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-
JANS1N4962US/TR	86.0502	RFQ	1901年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4962US/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		5 µA @ 11.4 V						15 v	3.5欧姆
1 PMT5944AE3/TR7	0.7350	RFQ	1665年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V						62 v	100欧姆
JANTXV1N4471US	25.7700	RFQ	1242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4471		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V						18 V	11欧姆
1N5352CE3/TR8	3.3900	RFQ	3833	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000				1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.8 V						15 v	2.5欧姆
UM4006B	-	RFQ	4327	微芯片技术	UM4000	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UM4006BTR	Ear99	8541.10.0060	1		12 w							3pf @ 100V，1MHz	PIN-单	600V			500MOHM @ 100mA，100MHz
CDLL5264C/TR	6.9150	RFQ	5294	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5264C/TR	Ear99	8541.10.0050	137				1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 46 V						60 V	170欧姆
JANTXV1N6485US	-	RFQ	2947	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SQ-MELF，a	1N6485		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
1N4756AP/TR8	1.8900	RFQ	8304	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4756		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V						47 V	80欧姆
JANS1N5969D	-	RFQ	7041	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V						6.2 v	1欧姆
JAN1N4565AR-1	5.2200	RFQ	3051	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4565		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.4 v	200欧姆
MBR2080CTE3/TU	1.1700	RFQ	7235	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2080				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
CDLL5271C	6.7200	RFQ	7355	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5271C	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V						100 v	500欧姆
1N4760AUR	3.4650	RFQ	5288	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4760		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V						68 v	150欧姆
Jan1n6627us/tr	14.3550	RFQ	3523	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6627US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		440 v	1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N6910UTK2CS	-	RFQ	9367	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）		15 v	520 mv @ 25 A		1.2 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V，1MHz
1N6075US	17.7300	RFQ	3115	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6075	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v	2.04 V @ 9.4 A	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	3a	-
JANS1N4124D-1/TR	94.7000	RFQ	2739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4124D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V						43 V	250欧姆
S2120	33.4500	RFQ	6026	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S2120	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	22a	-
CDLL4371A	5.9550	RFQ	6084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4371		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
JANTXV1N3033DUR-1	56.9100	RFQ	4777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3033		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
JANS1N4965DUS	429.5200	RFQ	7105	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4965DUS	Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N6322D	350.3400	RFQ	3184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6322D	Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V						8.2 v	5欧姆
1N5986D	5.1900	RFQ	7634	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5986		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V						2.7 v	100欧姆
1N4478US	11.3550	RFQ	4046	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4478		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4478USM	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 NA @ 28.8 V						36 V	27欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²