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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6638	6.5400	RFQ	7490	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	D，轴向	1N6638	标准		D-5D	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	125 v	1.1 V @ 200 ma	4.5 ns	500 NA @ 125 V	-65°C 〜200°C	300mA	2pf @ 0v，1MHz
apt100d60bg	5.2300	RFQ	63	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2	APT100D60	标准		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-APT100D60BG	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	2 V @ 100 A		250 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	100a	-
1N5938APE3/TR12	0.9150	RFQ	3875	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5938		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
CDLL5262B	2.7300	RFQ	2379	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5262		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 39 V				51 v	125欧姆
1N5536B/tr	1.7689	RFQ	3085	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5536B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	103欧姆
JANS1N4979DUS/TR	460.3500	RFQ	1772年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4979DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 56 V				75 v	55欧姆
1N5921CE3/TR13	-	RFQ	1252	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5921		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	2.5欧姆
1月1N6864	-	RFQ	7600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/620	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		肖特基		B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	80 V	700 mv @ 3 a		18 ma @ 80 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N5806urs/tr	32.5400	RFQ	3302	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N6340C	37.5300	RFQ	5490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6340C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 36 V				47 V	75欧姆
JANS1N6641US/TR	84.1500	RFQ	6170	微芯片技术	MIL-PRF-19500/609	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，d		标准		D-5D	-				150-JANS1N6641US/TR			50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 200 ma	5 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N991A	11.3250	RFQ	9604	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N991		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 136.8 V				180 v	2200欧姆
Jan1n4553rb	-	RFQ	4187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V				5.6 v	0.12欧姆
JAN1N4617D-1/TR	10.7730	RFQ	9672	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4617D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				2.4 v	1400欧姆
1N6343US	14.6400	RFQ	1788年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6343		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 47 V				62 v	125欧姆
JANTX1N3045BUR-1	14.5800	RFQ	7129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3045		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
1N4739E3/TR13	0.8100	RFQ	4010	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4739		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7 V				9.1 v	5欧姆
1N5924CP/TR8	2.2800	RFQ	2724	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5924		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 v	4欧姆
JANS1N4987C	415.7700	RFQ	2988	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4987C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 121.6 V				160 v	350欧姆
JANTXV1N6337CUS/TR	57.2550	RFQ	6584	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6337CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V				36 V	50欧姆
1N5361AE3/TR13	0.9900	RFQ	2421	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V				27 V	5欧姆
Janhca1n4573a	59.5950	RFQ	5394	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4573a	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTX1N981BUR-1	-	RFQ	1407	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N981		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
jankca1n5518b	-	RFQ	4871	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N5518B	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	26欧姆
JAN1N6873UTK2CS	364.5450	RFQ	8686	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JAN1N6873UTK2CS	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
1N5340A/TR8	2.6250	RFQ	7244	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
1N5991D/TR	4.7747	RFQ	9417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5991D/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	88欧姆
SMAJ5924BE3/TR13	0.6450	RFQ	5194	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5924		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 v	4欧姆
JANTXV1N4104-1	-	RFQ	3199	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
UES1105	24.3900	RFQ	9474	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.25 V @ 1 A	50 ns		-55°C〜150°C	2a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²