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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n3168r | - | ![]() | 4440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/211 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.55 V @ 940 A | 10 ma @ 400 V | -65°C 〜200°C | 300A | - | |||||||||
![]() | 1N936AE3 | 11.7750 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N936AE3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N4101DUR-1/TR | 44.5816 | ![]() | 1433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4101DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.3 V | 8.2 v | 200欧姆 | |||||||||
1N5551US/TR | 7.6800 | ![]() | 6838 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | D-5B | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5551US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 9 A | 1 µA @ 400 V | |||||||||||||||
![]() | 1 PMT5954/TR13 | - | ![]() | 3186 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 121.6 V | 160 v | 700欧姆 | ||||||||
Jan1n6663/tr | - | ![]() | 2665 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6663/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 600 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||
JAN1N4488CUS | 27.6750 | ![]() | 7851 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4488 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 na @ 72.8 V | 91 v | 200欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n4568aur-1 | 14.9250 | ![]() | 1587年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4568 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | |||||||||
![]() | 1N1206BR | 34.7100 | ![]() | 3511 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1206 | 标准,反极性 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | ||||||||
1N4584-1 | 26.9100 | ![]() | 5481 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4584 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | |||||||||||
![]() | LXS101-23-0 | - | ![]() | 4367 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | LXS101 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 8 V | 350 mv @ 1 mA | 100 na @ 1 V | -55°C〜125°C | 1a | 1pf @ 0v,1MHz | |||||||
Janhca1n5711 | 4.8300 | ![]() | 3689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5711 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||
JAN1N3825D-1 | 21.7350 | ![]() | 7149 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3825 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 8欧姆 | |||||||||
![]() | CD5376B | 5.0274 | ![]() | 9912 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | 死 | 5 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5376B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 500 NA @ 66 V | 87 v | 75欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N4110UR-1/TR | 10.1080 | ![]() | 4101 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4110UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 12.2 V | 16 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | CD4582 | 10.4250 | ![]() | 1457 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 0°C〜75°C | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD4582 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | |||||||||||
JANTX1N6330US/TR | 11.9168 | ![]() | 2987 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6330US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 14 V | 18 V | 14欧姆 | ||||||||||
JANTX1N972B-1 | 2.2200 | ![]() | 3504 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N972 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 21 V | 27 V | 41欧姆 | |||||||||
JANTXV1N753C-1/TR | 12.1429 | ![]() | 2185 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N753C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 7欧姆 | ||||||||||
![]() | JAN1N4128DUR-1/TR | 24.8843 | ![]() | 3485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4128DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400欧姆 | ||||||||||
![]() | JAN1N746CUR-1/TR | 10.2410 | ![]() | 5529 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N746CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 17欧姆 | |||||||||
![]() | CDLL5230D/TR | 8.5950 | ![]() | 8129 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 10兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5230D/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19欧姆 | ||||||||||
![]() | CDLL6011 | 2.7150 | ![]() | 1087 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL6011 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MPP4402-206 | 4.8300 | ![]() | 9996 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MPP4402-206 | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | ||||||||||||||||||
JAN1N4581A-1 | 6.5400 | ![]() | 3188 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4581 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N4133CUR-1 | 24.3150 | ![]() | 5204 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4133 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 66.2 V | 87 v | 1000欧姆 | ||||||||
![]() | 1N3042B-1 | 8.1900 | ![]() | 2340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3042 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 v | 200欧姆 | ||||||||
![]() | CD5245 | 4.0650 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5245 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | ||||||||||
![]() | R3280 | 49.0050 | ![]() | 2713 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-R3280 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5521/tr | 5.9052 | ![]() | 8304 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5521/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 18欧姆 |
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