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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JAN1N3168R Microchip Technology Jan1n3168r -
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/211 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 标准 DO-205AB(DO-9) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.55 V @ 940 A 10 ma @ 400 V -65°C 〜200°C 300A -
1N936AE3 Microchip Technology 1N936AE3 11.7750
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 do-7 - 到达不受影响 150-1N936AE3 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20欧姆
JANTXV1N4101DUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4101DUR-1/TR 44.5816
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N4101DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.3 V 8.2 v 200欧姆
1N5551US/TR Microchip Technology 1N5551US/TR 7.6800
RFQ
ECAD 6838 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,E D-5B 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5551US/TR Ear99 8541.10.0080 1 1.2 V @ 9 A 1 µA @ 400 V
1PMT5954/TR13 Microchip Technology 1 PMT5954/TR13 -
RFQ
ECAD 3186 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 121.6 V 160 v 700欧姆
JAN1N6663/TR Microchip Technology Jan1n6663/tr -
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 标准 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N6663/TR Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 400 MA 50 NA @ 600 V -65°C〜175°C 500mA -
JAN1N4488CUS Microchip Technology JAN1N4488CUS 27.6750
RFQ
ECAD 7851 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1N4488 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 na @ 72.8 V 91 v 200欧姆
JAN1N4568AUR-1 Microchip Technology Jan1n4568aur-1 14.9250
RFQ
ECAD 1587年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4568 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 200欧姆
1N1206BR Microchip Technology 1N1206BR 34.7100
RFQ
ECAD 3511 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1206 标准,反极性 DO-4(do-203AA) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 12a -
1N4584-1 Microchip Technology 1N4584-1 26.9100
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4584 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 25欧姆
LXS101-23-0 Microchip Technology LXS101-23-0 -
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 LXS101 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 8 V 350 mv @ 1 mA 100 na @ 1 V -55°C〜125°C 1a 1pf @ 0v,1MHz
JANHCA1N5711 Microchip Technology Janhca1n5711 4.8300
RFQ
ECAD 3689 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/444 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5711 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <<200ma(io),任何速度 70 v 1 V @ 15 mA 200 na @ 50 V -65°C〜150°C 33ma 2pf @ 0v,1MHz
JAN1N3825D-1 Microchip Technology JAN1N3825D-1 21.7350
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3825 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
CD5376B Microchip Technology CD5376B 5.0274
RFQ
ECAD 9912 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 5 w 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5376B Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 500 NA @ 66 V 87 v 75欧姆
JANTXV1N4110UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4110UR-1/TR 10.1080
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N4110UR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 12.2 V 16 V 100欧姆
CD4582 Microchip Technology CD4582 10.4250
RFQ
ECAD 1457 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 0°C〜75°C 表面安装 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD4582 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 25欧姆
JANTX1N6330US/TR Microchip Technology JANTX1N6330US/TR 11.9168
RFQ
ECAD 2987 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N6330US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 na @ 14 V 18 V 14欧姆
JANTX1N972B-1 Microchip Technology JANTX1N972B-1 2.2200
RFQ
ECAD 3504 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N972 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 21 V 27 V 41欧姆
JANTXV1N753C-1/TR Microchip Technology JANTXV1N753C-1/TR 12.1429
RFQ
ECAD 2185 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N753C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 7欧姆
JAN1N4128DUR-1/TR Microchip Technology JAN1N4128DUR-1/TR 24.8843
RFQ
ECAD 3485 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4128DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 45.6 V 60 V 400欧姆
JAN1N746CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N746CUR-1/TR 10.2410
RFQ
ECAD 5529 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N746CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 3.3 v 17欧姆
CDLL5230D/TR Microchip Technology CDLL5230D/TR 8.5950
RFQ
ECAD 8129 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 10兆 do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL5230D/tr Ear99 8541.10.0050 110 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19欧姆
CDLL6011 Microchip Technology CDLL6011 2.7150
RFQ
ECAD 1087 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 CDLL6011 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
MPP4402-206 Microchip Technology MPP4402-206 4.8300
RFQ
ECAD 9996 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-MPP4402-206 Ear99 8541.10.0070 100
JAN1N4581A-1 Microchip Technology JAN1N4581A-1 6.5400
RFQ
ECAD 3188 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4581 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 25欧姆
JANTX1N4133CUR-1 Microchip Technology JANTX1N4133CUR-1 24.3150
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4133 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 66.2 V 87 v 1000欧姆
1N3042B-1 Microchip Technology 1N3042B-1 8.1900
RFQ
ECAD 2340 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3042 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 62.2 V 82 v 200欧姆
CD5245 Microchip Technology CD5245 4.0650
RFQ
ECAD 8289 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±20% -65°C〜175°C 表面安装 500兆 - 到达不受影响 150-CD5245 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 11 V 15 v 16欧姆
R3280 Microchip Technology R3280 49.0050
RFQ
ECAD 2713 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-R3280 1
CDLL5521/TR Microchip Technology CDLL5521/tr 5.9052
RFQ
ECAD 8304 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5521/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 4.3 v 18欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库