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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1 PMT5937E3/TR13	0.7350	RFQ	8409	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
1 PMT5946AE3/TR7	0.7350	RFQ	7433	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
1N3006A	36.9900	RFQ	6412	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3006		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V				105 v	45欧姆
1N5940E3/TR13	-	RFQ	2749	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5940		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
JANTX1N5814R	-	RFQ	8492	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	在sic中停产			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
1N5919A	3.0300	RFQ	1606	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5919		1.19 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
APT2X101S20J	28.3200	RFQ	9811	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	同位素	APT2X101	肖特基		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	200 v	120a	950 MV @ 100 A	70 ns	2 ma @ 200 V	-55°C 〜175°C
1 PMT5939AE3/TR13	0.7350	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
1N4745P/TR12	1.8600	RFQ	5301	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
1n985a	2.0700	RFQ	9025	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N985		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 76 V				100 v	500欧姆
1N970B/TR	2.0083	RFQ	8705	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N970B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	33欧姆
JANTX1N747A-1	2.2800	RFQ	1200	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N747		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	22欧姆
1月1N4619-1	3.7500	RFQ	4922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4619		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
1N5824E3	55.9800	RFQ	7869	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		肖特基		轴向	-			到达不受影响	150-1N5824E3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		370 mv @ 5 a		10 mA @ 30 V	-65°C〜125°C	5a	-
CDLL968	2.8650	RFQ	9211	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL968		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 15 V				20 v	25欧姆
1N3167	195.7200	RFQ	1361	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3167	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3167MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		350 v		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 350 V	-65°C 〜200°C	240a	-
1N5366CE3/TR12	3.3900	RFQ	1150	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 28.1 V				39 v	14欧姆
1N5993D	-	RFQ	3721	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	50欧姆
JANTX1N5532CUR-1	43.2450	RFQ	6064	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5532		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V				12 v	90欧姆
CDLL4745A	5.3100	RFQ	7205	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4745			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 12.2 V				16 V	16欧姆
Jan1n5811urs	17.4750	RFQ	6429	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5811	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
JANS1N5420U	70.4400	RFQ	7227	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.5 V @ 9 A	400 ns		-65°C〜175°C	3a	-
APT2X100D20J	29.2200	RFQ	9913	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X100	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	200 v	100a	1.1 V @ 100 A	60 ns	500 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
CDLL3040B	15.3000	RFQ	6651	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3040		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
1 PMT4108E3/TR13	0.4950	RFQ	4119	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.65 V				14 V	200欧姆
1N5918BE3/TR13	0.9900	RFQ	8889	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5918		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	4欧姆
SMBJ5929B/TR13	1.5600	RFQ	7520	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5929		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V				15 v	9欧姆
SMBJ5930CE3/TR13	1.3350	RFQ	1639年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5930		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1N4116	2.4450	RFQ	6805	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N4116				下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N2990B	-	RFQ	4375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 25.1 V				33 V	9欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²