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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CD3035B	3.6043	RFQ	8444	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD3035B	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
JANTXV1N3333RB	-	RFQ	7886	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N333333RB	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V				52 v	5.5欧姆
JANS1N4105-1/TR	31.6700	RFQ	5993	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4105-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
SMBG5356A/TR13	2.2200	RFQ	2266	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5356		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
UZ709/tr	22.4400	RFQ	5877	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ709/tr	Ear99	8541.10.0050	100
CDLL4767/tr	113.2800	RFQ	9394	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4767/tr	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 v	350欧姆
Jan1n759cur-1/tr	10.2410	RFQ	4207	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N759CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
CDS5523DUR-1	-	RFQ	8852	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5523DUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N3891	44.6400	RFQ	4710	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1N3891MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 38 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	115pf @ 10V，1MHz
JAN1N5545D-1	13.8000	RFQ	2124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5545		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
JANTXV1N3294R	-	RFQ	5849	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.55 V @ 310 A		10 ma @ 800 V	-65°C 〜200°C	100a	-
Jan1n5532bur-1/tr	12.9542	RFQ	3886	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5532BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V				12 v	90欧姆
JANS1N6642UBD/TR	70.1804	RFQ	9550	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		标准		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6642UBD/tr	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.2 V @ 100 ma	5 ns		-	-	5pf @ 0v，1MHz
1 PMT5925E3/TR7	0.7350	RFQ	9098	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
JANTXV1N55330C-1	23.3700	RFQ	6373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5530		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
1 PMT4107E3/TR7	0.4950	RFQ	3966	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.87 V				13 V	200欧姆
1N5926E3/TR13	-	RFQ	6039	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
JANTXV1N4100-1/TR	8.1662	RFQ	3852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4100-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
1月1N3998RA	-	RFQ	9943	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 2 V				6.2 v	1.1欧姆
CDLL4099	3.8200	RFQ	370	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4099		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
1N5926A	3.0300	RFQ	7726	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5926		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
JANTXV1N3023D-1	38.0400	RFQ	5105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3023		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
JANTX1N4469C	17.2050	RFQ	7194	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4469		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
UTR2360	11.8800	RFQ	9844	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR2360	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.1 V @ 2 A	400 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	160pf @ 0v，1MHz
JANS1N6310US/TR	134.9550	RFQ	1712	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6310US/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
S2060	33.4500	RFQ	6844	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S2060	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	16a	-
CDLL5943D	11.7300	RFQ	8443	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5943		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
JANTXV1N986C-1	7.5750	RFQ	1707年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N986		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 84 V				110 v	750欧姆
UTR3360	12.8400	RFQ	9345	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR3360	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.1 V @ 3 A	400 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	160pf @ 0v，1MHz
Jan1n3042bur-1/tr	11.4247	RFQ	3977	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3042BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²