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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
DR-1061/TR	-	RFQ	6387	微芯片技术	-	大部分	积极的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DR-1061/TR			1
JANS1N4963DUS	429.5200	RFQ	6995	微芯片技术	-	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4963DUS	Ear99	8541.10.0050	1
1N5366BE3/TR13	0.9900	RFQ	1164	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 28.1 V	39 v	14欧姆
JANTXV1N4116UR-1	8.9700	RFQ	6270	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4116	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 18.3 V	24 V	150欧姆
CDLL748	2.8650	RFQ	2215	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL748	500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 1 V	3.9 v	23欧姆
1N4746A	3.6900	RFQ	7458	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746	1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n4746am	Ear99	8541.10.0050	1		5 µA @ 13.7 V	18 V	20欧姆
1N4736UR-1	3.6450	RFQ	1722年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-1N4736UR-1	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 4 V	6.8 v	3.5欧姆
SMAJ4734AE3/TR13	0.6450	RFQ	4936	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ473	2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500	1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 2 V	5.6 v	5欧姆
1N5933B	3.0300	RFQ	6210	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5933		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDLL4567/tr	9.6000	RFQ	7663	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4567/tr	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V		200欧姆
JANTXV1N2979RB	-	RFQ	4720	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 2 A	10 µA @ 11.4 V	15 v	3欧姆
JANTX1N4492	12.3300	RFQ	8759	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4492	1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1 V @ 200 MA	250 na @ 104 V	130 v	500欧姆
JANTX1N4620CUR-1	34.0665	RFQ	7839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4620	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		3.5 µA @ 1.5 V	3.3 v	1650年
JANTX1N4622UR-1	9.0450	RFQ	7366	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4622	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	2.5 µA @ 2 V	3.9 v	1650年
JAN1N6338CUS/TR	63.8550	RFQ	1190	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6338CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100	1.4 V @ 1 A	50 NA @ 30 V	39 v	55欧姆
JANTX1N4477D	22.5300	RFQ	6907	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4477	1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1 V @ 200 MA	50 NA @ 26.4 V	33 V	25欧姆
JANTXV1N3016B-1	-	RFQ	8003	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	150 µA @ 5.2 V	6.8 v	3.5欧姆
CD5543D	-	RFQ	1876年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5543D	Ear99	8541.10.0050	164	1.5 V @ 200 ma	10 na @ 22.4 V	25 v	100欧姆
CDLL3024A	15.3000	RFQ	8820	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3024	1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 11.4 V	15 v	14欧姆
CD018B-1	-	RFQ	6909	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-CDS3018B-1	Ear99	8541.10.0050	50
SMAJ4761E3/TR13	0.6450	RFQ	8756	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4761	2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 56 V	75 v	175欧姆
JANTX1N965DUR-1	11.9850	RFQ	2322	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N965	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	500 na @ 11 V	15 v	16欧姆
CDLL5946D	11.7300	RFQ	4622	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5946	1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 56 V	75 v	140欧姆
JANS1N4954D	245.7750	RFQ	7119	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	150 µA @ 5.2 V	6.8 v	1欧姆
1N4464D	22.1400	RFQ	8296	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向		1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4464D	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	300 NA @ 5.46 V	9.1 v	4欧姆
1N2804B	94.8900	RFQ	3616	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2804	50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	150 µA @ 4.5 V	6.8 v	0.2欧姆
JANTXV1N5522BUR-1/TR	17.2900	RFQ	9528	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5522BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 2 V	4.7 v	22欧姆
1N5359C/TR12	3.3900	RFQ	9541	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5359	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 17.3 V	24 V	3.5欧姆
JANTX1N5519C-1	19.5300	RFQ	4914	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5519	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V	3.6 v	24欧姆
JANTX1N4974/TR	7.8450	RFQ	3726	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTX1N4974/TR	Ear99	8541.10.0050	100	1.5 V @ 1 A	2 µA @ 35.8 V	47 V	25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²