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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N3049BUR-1/TR	-	RFQ	1744年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-JANTX1N3049BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 121.6 V				160 v	1100欧姆
JANTXV1N1184R	63.8550	RFQ	9712	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1184	标准，反极性		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.4 V @ 110 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	35a	-
Jan1n2827b	-	RFQ	4919	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2827		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 32.7 V				43 V	4.5欧姆
1N5956BE3	3.5850	RFQ	4610	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.19 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N5956BE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 v	1200欧姆
Jan1n4956d	18.6750	RFQ	2183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4956		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1N5240B	2.0700	RFQ	9696	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5240		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5240BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 8 V				10 v	17欧姆
JANTXV1N2811RB	-	RFQ	7917	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2811		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 9.9 V				13 V	1.1欧姆
1N4767A/tr	104.7300	RFQ	3708	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4767A/tr	Ear99	8541.10.0050	1											9.1 v	350欧姆
CD4583A	11.4300	RFQ	6594	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4583A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANTXV1N4495DUS/TR	56.5650	RFQ	8316	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N444495DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
BZV55C4V7	2.9400	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C4V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				4.7 v
SMBG5387AE3/TR13	1.1250	RFQ	1968年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5387		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 137 V				190 v	450欧姆
UPS170E3/TR7	0.4800	RFQ	4949	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UPS170				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
1N1302	45.3600	RFQ	3032	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N1302	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	37a	-
Jan1n757a-1/tr	1.9418	RFQ	5899	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N757A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	6欧姆
JANTXV1N4371AUR-1/TR	8.3125	RFQ	2757	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4371AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
CDLL0.2A20/TR	3.5850	RFQ	3222	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL0.2A20/tr	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		20 v		500 mV @ 200 ma		5 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
JANTX1N4105DUR-1	30.9000	RFQ	9814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4105		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
1N4680	3.9300	RFQ	9595	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 1 V				2.2 v
JANTX1N7055-1	8.8950	RFQ	8118	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N6640/TR	9.6824	RFQ	7281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/609	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6640/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
APTDF400AK20G	129.7611	RFQ	4814	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	LP4	APTDF400	标准		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	200 v	500a	1.1 V @ 400 A	60 ns	750 µA @ 200 V
Jan1n4963d	18.6750	RFQ	6789	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4963		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5欧姆
1N5919D	7.5450	RFQ	9866	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5919		1.19 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
jankca1n5545c	-	RFQ	3187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5545C	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
S43100	112.3200	RFQ	2679	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-S43100	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JAN1N5543DUR-1	36.1650	RFQ	6210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
1N5353AE3/TR8	2.6250	RFQ	8979	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V				16 V	2.5欧姆
JANTXV1N4964DUS	27.0600	RFQ	1841年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4964DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
CDLL4963	11.1450	RFQ	6660	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDLL4963	Ear99	8541.10.0050	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²