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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANS1N6317D/TR | 448.5900 | ![]() | 4093 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6317 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N6020B/tr | 2.0083 | ![]() | 9353 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6020B/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 52 V | 68 v | 240欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N6910UTK2CS/TR | 259.3500 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™2 | 肖特基,反极性 | Thinkey™2 | - | 到达不受影响 | 150-1N6910UTK2CS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 15 v | 520 mv @ 25 A | 1.2 ma @ 15 V | -65°C〜150°C | 25a | 2000pf @ 5V,1MHz | ||||||||||
![]() | 1N3341A | 49.3800 | ![]() | 3953 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3341 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 83 V | 105 v | 25欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N5417 | 55.8450 | ![]() | 6373 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | 1N1190AR | 74.5200 | ![]() | 4705 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1190 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N1190ARMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | ||||||||
![]() | SMAJ5936E3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 4604 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | SMAJ5936 | 3 W | DO-214AC(SMAJ) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28欧姆 | |||||||||
1N5618 | 4.1600 | ![]() | 1392 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5618 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||||
![]() | SMBJ5927A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 7894 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5927 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 6.5欧姆 | |||||||||
JANS1N4972US | 86.7300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 29.7 V | 39 v | 14欧姆 | |||||||||||
JANTX1N749D-1 | 7.3200 | ![]() | 2955 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N749 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | ||||||||||
![]() | CDLL4776 | 36.4800 | ![]() | 1585年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL4776 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.5 v | 200欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N3822CUR-1/TR | 44.1427 | ![]() | 3043 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N3822CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | ||||||||||
JANTX1N962C-1/TR | 5.0939 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N962C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 9.5欧姆 | |||||||||||
1N5261A | 2.1000 | ![]() | 9719 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5261 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 36 V | 47 V | 105欧姆 | |||||||||||
![]() | SMBJ5937AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5937 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 25.1 V | 33 V | 33欧姆 | |||||||||
![]() | 1N5356CE3/TR12 | 3.3900 | ![]() | 6316 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5356 | 5 w | T-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 13.7 V | 19 v | 3欧姆 | |||||||||
CDLL5261A | 2.8650 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5261 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 36 V | 47 V | 105欧姆 | ||||||||||
JANTX1N6329CUS/TR | 39.9450 | ![]() | 4889 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JANTX1N6329CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 12 V | 16 V | 12欧姆 | |||||||||||||
JANTX1N6486CUS/TR | - | ![]() | 1047 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JANTX1N6486CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | |||||||||||||
![]() | HSM380JE3/TR13 | 1.0200 | ![]() | 5586 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | HSM380 | 肖特基 | do-214ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 810 MV @ 3 A | 100 µA @ 80 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | ||||||||
![]() | Jan1n3168r | - | ![]() | 4440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/211 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.55 V @ 940 A | 10 ma @ 400 V | -65°C 〜200°C | 300A | - | ||||||||||
![]() | 1N936AE3 | 11.7750 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N936AE3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTXV1N4101DUR-1/TR | 44.5816 | ![]() | 1433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4101DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.3 V | 8.2 v | 200欧姆 | ||||||||||
1N5551US/TR | 7.6800 | ![]() | 6838 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | D-5B | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5551US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 9 A | 1 µA @ 400 V | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5954/TR13 | - | ![]() | 3186 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 121.6 V | 160 v | 700欧姆 | |||||||||
Jan1n6663/tr | - | ![]() | 2665 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6663/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 600 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||||||||
JAN1N4488CUS | 27.6750 | ![]() | 7851 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4488 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 na @ 72.8 V | 91 v | 200欧姆 | ||||||||||
![]() | Jan1n4568aur-1 | 14.9250 | ![]() | 1587年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4568 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N1206BR | 34.7100 | ![]() | 3511 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1206 | 标准,反极性 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 12a | - |
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