SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANS1N6317D/TR Microchip Technology JANS1N6317D/TR 448.5900
RFQ
ECAD 4093 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6317 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 2 V 5.1 v 14欧姆
1N6020B/TR Microchip Technology 1N6020B/tr 2.0083
RFQ
ECAD 9353 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6020B/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 52 V 68 v 240欧姆
1N6910UTK2CS/TR Microchip Technology 1N6910UTK2CS/TR 259.3500
RFQ
ECAD 6543 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 Thinkey™2 肖特基,反极性 Thinkey™2 - 到达不受影响 150-1N6910UTK2CS/TR Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 15 v 520 mv @ 25 A 1.2 ma @ 15 V -65°C〜150°C 25a 2000pf @ 5V,1MHz
1N3341A Microchip Technology 1N3341A 49.3800
RFQ
ECAD 3953 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3341 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 83 V 105 v 25欧姆
JANS1N5417 Microchip Technology JANS1N5417 55.8450
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 标准 B,轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.5 V @ 9 A 150 ns -65°C〜175°C 3a -
1N1190AR Microchip Technology 1N1190AR 74.5200
RFQ
ECAD 4705 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1190 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N1190ARMS Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.19 V @ 90 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 40a -
SMAJ5936E3/TR13 Microchip Technology SMAJ5936E3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAJ5936 3 W DO-214AC(SMAJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 28欧姆
1N5618 Microchip Technology 1N5618 4.1600
RFQ
ECAD 1392 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5618 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 600 V -65°C 〜200°C 1a -
SMBJ5927A/TR13 Microchip Technology SMBJ5927A/TR13 1.5600
RFQ
ECAD 7894 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5927 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 6.5欧姆
JANS1N4972US Microchip Technology JANS1N4972US 86.7300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 29.7 V 39 v 14欧姆
JANTX1N749D-1 Microchip Technology JANTX1N749D-1 7.3200
RFQ
ECAD 2955 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N749 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
CDLL4776 Microchip Technology CDLL4776 36.4800
RFQ
ECAD 1585年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa CDLL4776 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 8.5 v 200欧姆
JANTXV1N3822CUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N3822CUR-1/TR 44.1427
RFQ
ECAD 3043 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N3822CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 75 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
JANTX1N962C-1/TR Microchip Technology JANTX1N962C-1/TR 5.0939
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N962C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 9.5欧姆
1N5261A Microchip Technology 1N5261A 2.1000
RFQ
ECAD 9719 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5261 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 36 V 47 V 105欧姆
SMBJ5937AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5937AE3/TR13 0.8850
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5937 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33欧姆
1N5356CE3/TR12 Microchip Technology 1N5356CE3/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 6316 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5356 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 13.7 V 19 v 3欧姆
CDLL5261A Microchip Technology CDLL5261A 2.8650
RFQ
ECAD 1291 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5261 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 36 V 47 V 105欧姆
JANTX1N6329CUS/TR Microchip Technology JANTX1N6329CUS/TR 39.9450
RFQ
ECAD 4889 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 150-JANTX1N6329CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 na @ 12 V 16 V 12欧姆
JANTX1N6486CUS/TR Microchip Technology JANTX1N6486CUS/TR -
RFQ
ECAD 1047 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 下载 150-JANTX1N6486CUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
HSM380JE3/TR13 Microchip Technology HSM380JE3/TR13 1.0200
RFQ
ECAD 5586 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC HSM380 肖特基 do-214ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 810 MV @ 3 A 100 µA @ 80 V -55°C 〜175°C 3a -
JAN1N3168R Microchip Technology Jan1n3168r -
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/211 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 标准 DO-205AB(DO-9) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.55 V @ 940 A 10 ma @ 400 V -65°C 〜200°C 300A -
1N936AE3 Microchip Technology 1N936AE3 11.7750
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 do-7 - 到达不受影响 150-1N936AE3 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20欧姆
JANTXV1N4101DUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4101DUR-1/TR 44.5816
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N4101DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.3 V 8.2 v 200欧姆
1N5551US/TR Microchip Technology 1N5551US/TR 7.6800
RFQ
ECAD 6838 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,E D-5B 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5551US/TR Ear99 8541.10.0080 1 1.2 V @ 9 A 1 µA @ 400 V
1PMT5954/TR13 Microchip Technology 1 PMT5954/TR13 -
RFQ
ECAD 3186 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 121.6 V 160 v 700欧姆
JAN1N6663/TR Microchip Technology Jan1n6663/tr -
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 标准 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N6663/TR Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 400 MA 50 NA @ 600 V -65°C〜175°C 500mA -
JAN1N4488CUS Microchip Technology JAN1N4488CUS 27.6750
RFQ
ECAD 7851 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1N4488 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 na @ 72.8 V 91 v 200欧姆
JAN1N4568AUR-1 Microchip Technology Jan1n4568aur-1 14.9250
RFQ
ECAD 1587年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4568 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 200欧姆
1N1206BR Microchip Technology 1N1206BR 34.7100
RFQ
ECAD 3511 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1206 标准,反极性 DO-4(do-203AA) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库