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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JAN1N746CUR-1/TR	10.2410	RFQ	5529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N746CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	17欧姆
CDLL5230D/TR	8.5950	RFQ	8129	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5230D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				4.7 v	19欧姆
CDLL6011	2.7150	RFQ	1087	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL6011				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
MPP4402-206	4.8300	RFQ	9996	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4402-206	Ear99	8541.10.0070	100
JAN1N4581A-1	6.5400	RFQ	3188	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4581		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N3042B-1	8.1900	RFQ	2340	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3042		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
CD5245	4.0650	RFQ	8289	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5245	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 11 V				15 v	16欧姆
R3280	49.0050	RFQ	2713	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3280			1
CDLL5521/tr	5.9052	RFQ	8304	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5521/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	18欧姆
Janhca1n4627d	-	RFQ	3045	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4627d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
1N5351BE3/TR12	2.6850	RFQ	7541	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5351		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.1 V				14 V	2.5欧姆
1N5749B	1.8600	RFQ	7497	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5749		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V				36 V	90欧姆
1N3899R	48.5400	RFQ	3917	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3899	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
JAN1N3035DUR-1	40.7250	RFQ	8581	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3035		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
JANTX1N6349	12.4350	RFQ	6401	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6349		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V				110 v	500欧姆
JAN1N6632CUS	-	RFQ	1550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V				3.3 v	3欧姆
CD5532B	2.0349	RFQ	5456	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5532B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V				12 v	90欧姆
JANTXV1N3024CUR-1	45.5250	RFQ	5989	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3024		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
1N5923CPE3/TR8	1.2000	RFQ	6365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5923		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V				8.2 v	3.5欧姆
CDLL4489	11.5200	RFQ	5457	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4489		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
JANS1N4481DUS	330.2550	RFQ	9724	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4481DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
CDLL5526A/TR	5.9052	RFQ	9014	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5526A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.5 V				6.8 v	30欧姆
SMBJ4752/TR13	0.8700	RFQ	3656	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4752		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1N5357E3/TR12	2.6250	RFQ	2798	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
1 PMT4108C/TR7	1.2450	RFQ	3726	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.65 V				14 V	200欧姆
JANTXV1N6349	14.6700	RFQ	9530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6349		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V				110 v	500欧姆
1N3046B-1/tr	7.4214	RFQ	5905	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13	1N3046		1 w	DO-13（do-202AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3046B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 91.2 V				120 v	550欧姆
JANTX1N3021CUR-1	37.3500	RFQ	1165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
1N5367B/TR8	2.6850	RFQ	5913	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V				43 V	20欧姆
1 PMT4107CE3/TR13	0.4950	RFQ	7166	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.87 V				13 V	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²